Об утверждении списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль

1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности мощного СВЧ-модуля.

2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема мощного СВЧ-модуля. Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как 20 [Вт] x 10 [см3/Вт] = 200 [см3]. Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом мощного СВЧ-модуля;

3.1.1.2.9. Генераторы или генераторные сборки, определенные для работы с фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале C шумомера)/Гц меньше (лучше) -(126 + 20 log10F - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 Гц F 10 кГц 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0; 8543 20 000 0

Техническое примечание. В пункте 3.1.1.2.9: F - отстройка от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц;

3.1.1.2.10. Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты, определенное любым из следующего: 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0; 8543 20 000 0

а) менее 143 пс;

б) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;

в) менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;

г) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 37 ГГц, но не превышающего 75 ГГц; или

(Подпункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

д) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 5 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 75 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или

(Подпункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

е) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот выше 90 ГГц

(Дополнение подпунктом - Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

3.1.1.2.11. Приемо-передающие модули, приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, передающие модули и передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, предназначенные для работы на частотах выше 2,7 ГГц и имеющие все следующие характеристики: 8542 31 300 0; 8542 31 901 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 33 900 0; 8542 39 300 0; 8542 39 901 0; 8543 90 000 0

а) пиковую выходную мощность в режиме насыщения (Вт), Psat, большую, чем результат деления величины 505,62 на максимальную рабочую частоту (ГГц) в квадрате, то есть: Psat > 505,62 Вт x ГГц2/fГГц2 для любого канала;

б) относительную ширину полосы частот 5 процентов или более для любого канала;

в) планарный корпус (корпус микросхем, предназначенных для монтажа на поверхность) с длиной d (в см), равной результату (или меньшей, чем результат) деления величины 15 на наименьшую рабочую частоту (ГГц), то есть: d 15 см x ГГц x N/fГГц, где N - количество передающих или приемо-передающих каналов; и

г) фазовращатель с электронной регулировкой на канал;

Технические примечания:

1. Приемо-передающий модуль является многофункциональной электронной сборкой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов.

2. Передающий модуль является электронной сборкой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов.

3. Приемо-передающая монолитная микроволновая интегральная схема является многофункциональной монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов.

4. Передающая монолитная микроволновая интегральная схема является монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов.

5. Значение 2,7 ГГц должно использоваться как наименьшая рабочая частота (fГГц) в формуле, определенной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, для приемо-передающих или передающих модулей, которые имеют заявленный рабочий диапазон, увеличивающий нисхождение до 2,7 ГГц и ниже, то есть: d 15 см x ГГц x N/2,7 ГГц.

6. Пункт 3.1.1.2.11 применяется к приемо-передающим модулям или передающим модулям с теплоотводом (радиатором) или без него. Значение длины (d), указанной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, не включает в себя части приемо-передающих модулей или передающих модулей, работающих в качестве теплоотвода (радиатора).

7. Приемо-передающие модули, или передающие модули, или приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, или передающие интегральные схемы могут иметь или не иметь N элементов встроенных излучающих антенн, где N - количество передающих или приемо-передающих каналов

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.1.1.2 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения может также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность.

2. Синтезатор частот - любой источник частоты, независимо от используемого фактического метода генерации, обеспечивающий множественность одновременных или альтернативных выходных частот (от одного или нескольких выходов), контролируемых, получаемых или регулируемых меньшим числом стандартных (или специальных) частот

Особое примечание. Для анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров общего назначения см. пункты 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 и 3.1.2.5 соответственно;

3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:

3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 60 000 0

а) центральную частоту выше 6 ГГц;

б) центральную частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и имеющие любую из следующих характеристик: частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ; произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; ширину полосы частот выше 250 МГц; или дисперсионную задержку более 10 мкс; или

в) центральную частоту 1 ГГц и ниже и имеющие любую из следующих характеристик: произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; дисперсионную задержку более 10 мкс; или частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц

Техническое примечание. Частотное подавление боковых лепестков - максимальная величина подавления, определенная в перечне технических характеристик (проспекте изделия);

3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах, обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 6 ГГц; 8541 60 000 0

3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку 8541 60 000 0

Примечание. Пункт 3.1.1.3 не применяется к приборам на акустических волнах, ограниченным пропусканием сигнала через однополосный фильтр, фильтр низких или верхних частот или узкополосный режекторный фильтр или функцией резонирования;

3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, и имеющие любое из следующего: 8540; 8541; 8542; 8543

а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10-14 Дж; или

б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10000;

3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:

3.1.1.5.1. Элементы:

3.1.1.5.1.1. Первичные элементы, имеющие любую из следующих характеристик при температуре 20°C: 8506

а) плотность энергии, превышающую 550 Вт·ч/кг, и плотность длительной мощности выше 50 Вт/кг; или

б) плотность энергии, превышающую 50 Вт·ч/кг, и плотность длительной мощности выше 350 Вт/кг;

3.1.1.5.1.2. Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 350 Вт· ч/кг при температуре 20°C 8507

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в ампер-часах, поделенным на массу в килограммах. Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах.

2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии. Он является основным компоновочным блоком батареи.

3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии.

4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии

5. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 плотность длительной мощности (Вт/кг) определяется как произведение номинального напряжения в вольтах на определенный максимальный продолжительный ток разряда в амперах, поделенное на массу в килограммах. Плотностью длительной мощности можно также считать определенную мощность

3.1.1.5.2. Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:

3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: 8506; 8507; 8532

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;

б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и

в) полную энергию 25 кДж или более;

3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: 8506; 8507; 8532

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;

б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;

в) полную энергию 100 Дж или более; и

г) количество циклов заряд-разряда 10000 или более;

3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все следующие характеристики: 8504 50; 8505 90 200 9

а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;

б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и

в) номинальную магнитную индукцию более 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/мм2

Примечание. Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к сверхпроводящим электромагнитам или соленоидам, специально разработанным для медицинской аппаратуры отображения магнитного резонанса (аппаратуры магниторезонансной томографии);

3.1.1.5.4. Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20 процентов при рабочей температуре 301 К (28°C) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/м2 при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО) 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

Техническое примечание. АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равном одной астрономической единице (АЕ);

Примечание. Пункт 3.1.1.5 не применяется к батареям, включая батареи, содержащие один элемент;

3.1.1.6. Преобразователи абсолютного углового положения вала, имеющие точность на входе в код, равную 1,0 угловая секунда или меньше (лучше), и специально разработанные для них кольца, диски или счетчики; 9031 80 320 0; 9031 80 340 0

3.1.1.7. Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик: 8536 50 040 0; 8541 51 000 0; 8541 59 000 0; 8541 30 000 9

а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или

б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее: пиковое напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; и пиковый ток (ударный ток), равный или более 3000 А

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.7 включает: кремниевые триодные тиристоры; электрические триггерные тиристоры; световые триггерные тиристоры; коммутационные тиристоры с интегральными вентилями; вентильные запираемые тиристоры; управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник); солидтроны.

2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к тиристорным устройствам и тиристорным модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах

Техническое примечание. Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств;

3.1.1.8. Твердотельные силовые полупроводниковые переключатели, диоды или модули, имеющие все следующие характеристики: 8504 40 830 0; 8536 50 040 0; 8536 50 060 0; 8541 10 000 9; 8541 21 000 0; 8541 29 000 0; 8541 30 000 9; 8541 51 000 0; 8541 59 000 0

а) рассчитанные для максимальной рабочей температуры p-n-перехода выше 488 К (215°C);

б) повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (блокирующее напряжение), превышающее 300 В; и

в) постоянный ток более 1 А

Примечания:

1. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии в пункте 3.1.1.8 включает напряжение сток - исток, выходное остаточное напряжение, повторяющееся импульсное обратное напряжение и блокирующее импульсное напряжение в закрытом состоянии.

2. Пункт 3.1.1.8 включает: канальные полевые транзисторы с p-n-переходом (JFET); канальные полевые транзисторы с вертикальным p-n-переходом (VJFET); канальные полевые униполярные транзисторы на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник) (MOSFET); канальные полевые двойные диффузные металл-оксид полупроводниковые транзисторы (DMOSFET); трехфазные тяговые преобразователи на транзисторных ключах (IGBN); транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭ-транзисторы) (HMET); биполярные плоскостные транзисторы (BJT); тиристоры и управляемые кремниевые выпрямители (диоды) (SCR); высоковольтные полупроводниковые запираемые тиристоры (GTO); тиристоры с эмиттерами включения (ETO); регулируемые резистивные диоды (PIN-диоды); диоды Шоттки.

3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к переключателям, диодам или модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте, в гражданских автомобилях или в гражданских летательных аппаратах

Техническое примечание. Для целей пункта 3.1.1.8 модуль содержит один или несколько твердотельных силовых полупроводниковых переключателей или диодов

3.1.1.9. Электрооптические модуляторы интенсивности, амплитуды или фазы, разработанные для аналоговых сигналов и имеющие любую из следующих характеристик:

а) максимальную рабочую частоту более 10 ГГц, но менее 20 ГГц, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:

1) полуволновое напряжение () менее 2,7 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или

2) полуволновое напряжение () менее 4 В, измеренное на частоте более 1 ГГц; или

б) максимальную рабочую частоту 20 ГГц или более, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:

1) полуволновое напряжение () менее 3,3 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или

2) полуволновое напряжение () менее 5 В, измеренное на частоте более 1 ГГц

Примечание. Пункт 3.1.1.9 включает электрооптические модуляторы, имеющие оптические входные и выходные разъемы (например, оптоволоконные гибкие выводы)

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.9 полуволновым напряжением () является приложенное напряжение, необходимое для совершения фазового перехода в 180 градусов на длине волны распространения излучения через оптический модулятор

3.1.2. Нижеперечисленные электронные сборки, модули и аппаратура общего назначения и принадлежности для них:

3.1.2.1. Записывающая аппаратура и осциллографы:

Особое примечание. Для приборов преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов см. пункт 3.1.2.7;

3.1.2.1.1. Устройства записи цифровых данных, удовлетворяющие всем следующим условиям: 8471 50 000 0; 8471 60; 8471 70 200 0; 8471 70 300 0; 8471 70 500 0; 8519 89 900 9; 8521 90 000 9; 8522 90 400 0; 8522 90 810 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0

а) обладающие устойчивой пропускной способностью диска или твердотельной памяти более 6,4 Гбит/с; и

б) выполняющие обработку параметров радиочастотного сигнала одновременно с его записью

Технические примечания: 1. Для устройств записи с архитектурой на параллельной шине пропускная способность - произведение наивысшей скорости записи слов на количество бит (разрядов) в слове. 2. Пропускная способность - наивысшая скорость, с которой устройство может производить запись на диск или в твердотельную память без потери информации при сохранении скорости ввода данных или дискретизации;

3.1.2.1.2. Осциллографы, работающие в реальном масштабе времени, имеющие все следующие характеристики: а) среднеквадратичное напряжение собственных шумов по вертикальной оси менее 2 процентов полной шкалы при вертикальной настройке; и

б) верхнюю частоту в полосе 3 дБ, превышающую 90 ГГц на любом канале

Примечание.

Пункт 3.1.2.1.2 не применяется к стробоскопическим осциллографам эквивалентного времени

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.2.1.2:

1. Верхняя частота в полосе 3 дБ является большей из:

a) указанной полосы пропускания осциллографа в 3 дБ; или

б) максимальной верхней границей частотного диапазона любого подвижного диапазона полосы пропускания.

2. Подвижный диапазон полосы пропускания - полосовой фильтр с определяемой пользователем центральной частотой или диапазоном;

9030 20

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 25.03.2026 № 317)

3.1.2.2. Анализаторы сигналов:

3.1.2.2.1. Анализаторы сигналов, имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 40 МГц в любой точке частотного диапазона выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц; 9030 84 000 9; 9030 89 300 0

3.1.2.2.2. Анализаторы сигналов, имеющие отображаемый на дисплее средний уровень шума (ОСУШ) меньше (лучше) -150 дБм/Гц в любой точке частотного диапазона выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; 9030 84 000 9; 9030 89 300 0

3.1.2.2.3. Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 90 ГГц; 9030 84 000 9; 9030 89 300 0

3.1.2.2.4. Анализаторы сигналов, имеющие все следующие характеристики: 9030 20 300 9; 9030 32 000 9; 9030 39 000 9; 9030 84 000 9; 9030 89 300 0

а) полосу частот в реальном масштабе времени, превышающую 170 МГц; и

б) имеющие любую из следующих характеристик: стопроцентную вероятность обнаружения сигналов длительностью 15 мкс или менее со снижением менее 3 дБ от полной амплитуды вследствие промежутков или эффектов окон; или функцию механизма запуска по частотной маске (триггера маски частоты) со стопроцентной вероятностью захвата сигналов длительностью 15 мкс или менее

Технические примечания: 1. Полоса частот в реальном масштабе времени (для динамических анализаторов сигналов) - наиболее широкий диапазон частот сигнала, который анализатор может выдать на отображающее или запоминающее устройство без нарушения непрерывности анализа входной информации. Для многоканальных анализаторов при оценке полосы частот в реальном масштабе времени должна использоваться конфигурация канала с наибольшим значением данного параметра. 2. Вероятность обнаружения, указанная в подпункте "б" пункта 3.1.2.2.4, также может называться вероятностью перехвата или захвата сигнала. 3. Для целей подпункта "б" пункта 3.1.2.2.4 длительность сигнала, необходимая для стопроцентной вероятности его обнаружения, является эквивалентом минимальной длительности сигнала, необходимой для заданного уровня погрешности измерения.

4. Механизм запуска по частотной маске для анализаторов сигналов - механизм, при применении которого функция запуска способна выбрать частотный диапазон для запуска анализатора сигнала в пределах полосы пропускания, игнорируя при этом другие сигналы, которые могут также присутствовать в пределах этой полосы пропускания. Механизм запуска по частотной маске может содержать более одного независимого набора ограничений

Примечание. Пункт 3.1.2.2.4 не применяется к анализаторам сигналов, использующим только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);

3.1.2.3. Генераторы сигналов, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0; 8543 20 000 0

а) определенные для создания импульсно-модулированных сигналов в любом месте диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц, имеющие все следующее: длительность импульса менее 25 нс; и отношение уровня генерируемого импульса к уровню просачивающегося сигнала в паузе 65 дБ или более

Техническое примечание. Для целей абзаца первого подпункта "а" пункта 3.1.2.3 длительность импульса определяется как временной интервал от точки на переднем фронте импульса, который составляет 50 процентов амплитуды импульса, до точки на заднем фронте импульса, который составляет 50 процентов амплитуды импульса;

б) выходную мощность более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в любом месте диапазона частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;

в) время переключения частоты, определенное любым из следующего: менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц; менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц; или менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона частот выше 37 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;

г) фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале C шумомера)/Гц, как определено любым из следующего: меньше (лучше) -(126 + 20 log10F - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 Гц F 10 кГц в пределах диапазона частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или меньше (лучше) -(206 - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 кГц < F 100 кГц в пределах диапазона частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 90 ГГц

Техническое примечание. В подпункте "г" пункта 3.1.2.3 F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц

д) радиочастотную ширину полосы модулирующих частот цифровых немодулированных сигналов, обладающую любой из следующих характеристик:

превышающую 2,2 ГГц в пределах диапазона частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;

превышающую 550 МГц в пределах диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц; или

превышающую 2,2 ГГц в пределах диапазона частот выше 37 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или

Техническое примечание. Радиочастотная ширина полосы модулирующих частот - радиочастотная ширина полосы частот, производимая цифровым немодулированным сигналом закодированного цифрового радиочастотного сигнала. Также называется шириной информационной полосы частот или векторной шириной полосы частот модуляции. I/Q цифровая модуляция является техническим методом, производящим векторно-модулированные радиочастотные выходные сигналы. Такие выходные сигналы обычно определяются как имеющие радиочастотную ширину полосы частот модуляции

е) максимальную частоту, превышающую 90 ГГц

Примечания:

1. Для целей пункта 3.1.2.3 генераторы сигналов включают в себя генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций

Техническое примечание. Максимальная частота генератора импульсов произвольной формы или генератора функций определяется путем деления частоты выборки (выборка/с) на коэффициент 2,5

2. Пункт 3.1.2.3 не применяется к аппаратуре, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты;

3.1.2.4. Схемные анализаторы, имеющие любое из следующего: 9030 40 000 0

а) выходную мощность, превышающую 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;

б) выходную мощность, превышающую 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 90 ГГц, но не превышающего 110 ГГц;

в) функцию нелинейного векторного анализа на частотах выше 50 ГГц, но не превышающих 110 ГГц; или

Техническое примечание. Нелинейным вектором измерения функциональности является способность прибора анализировать результаты испытаний устройств, приводящих в область большого сигнала или в диапазон нелинейного искажения

г) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц;

3.1.2.5. Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики: 8517 69 390 0

а) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц; и

б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;

3.1.2.6. Атомные эталоны частоты:

3.1.2.6.1. Пригодные для применения в космосе 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0; 8543 20 000 0

Особое примечание. В отношении атомных эталонов частоты, указанных в пункте 3.1.2.6.1, см. также пункт 3.1.1 раздела 2;

3.1.2.6.2. Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10-11 в месяц; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0; 8543 20 000 0

3.1.2.6.3. Рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе и имеющие все нижеследующее: 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0; 8543 20 000 0

а) долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10-11 в месяц; и

б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт;

3.1.2.7. Электронные сборки, модули или оборудование, предназначенные для выполнения всего следующего: а) аналого-цифровых преобразований, имеющих любую из следующих характеристик: разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более 1,3 млрд. выборок в секунду; разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду; разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду; разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более 400 млн. выборок в секунду; или разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 180 млн. выборок в секунду; и б) любых следующих действий: вывода оцифрованных данных; хранения оцифрованных данных; или обработки оцифрованных данных 8471 90 000 0; 8541 59 000 0

Особое примечание. Устройства записи цифровых данных, осциллографы, анализаторы сигналов, генераторы сигналов, сетевые анализаторы и микроволновые приемники-тестеры определены в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 и 3.1.2.6 соответственно

(Особое примечание в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 16.03.2024 № 308)

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования. 2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП. 3. Для многоканальных электронных сборок, модулей или оборудования без временного разделения каналов выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.

4. Для многоканальных электронных сборок, модулей или оборудования с временным разделением каналов частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением

Примечание. Пункт 3.1.2.7 включает платы АЦП, дискретизаторы аналоговых сигналов, платы сбора данных, платы обработки сигналов и устройства регистрации переходных процессов

3.1.3. Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты 8419 89 989 0; 8424 89 000 9; 8479 89 970 7

3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование

3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:

3.2.1.1. Оборудование, разработанное для эпитаксиального выращивания:

3.2.1.1.1. Оборудование, разработанное или модифицированное для производства слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее ± 2,5 процента на расстоянии 75 мм или более 8486 10 000 9

Примечание. Пункт 3.2.1.1.1 включает оборудование для эпитаксиального выращивания атомного слоя;

3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, разработанные для эпитаксиального выращивания полупроводниковых соединений из материала, содержащего два или более из следующих элементов: алюминий, галлий, индий, мышьяк, фосфор, сурьма или азот; 8486 20 900 9

3.2.1.1.3. Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников;

3.2.1.2. Оборудование, разработанное или оптимизированное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик: 8486 20 900 9

а) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для водородных, дейтериевых или гелиевых имплантатов;

б) возможность непосредственного формирования рисунка;

в) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; или

г) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для имплантации кремния в подложку полупроводникового материала, нагретую до температуры 600°C или более;

3.2.1.3. Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральным транспортно-загрузочным устройством для пластин (подложек), имеющие все следующее: 8456 40 000 0; 8456 90 000 0; 8479 50 000 0; 8486 20 900 2; 8486 20 900 3

а) средства сопряжения для загрузки и выгрузки пластин (подложек), разработанные для возможности присоединения более двух отличных по функциональным возможностям инструментов для обработки полупроводников, определенных в пункте 3.2.1.1.1, 3.2.1.1.2, 3.2.1.1.3 или 3.2.1.2; и

б) разработанные для создания интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.2.1.5 инструменты для обработки полупроводников относятся к инструментам модульной конструкции, которые обеспечивают такие, отличные по функциональности, физические процессы производства полупроводников, как осаждение, имплантация или термообработка.

2. Для целей пункта 3.2.1.5 многопозиционная обработка пластин (подложек) означает возможность обрабатывать каждую пластину (подложку) с помощью различных инструментов для обработки полупроводников, например, путем передачи каждой пластины (подложки) от первого инструмента ко второму и далее к третьему посредством автоматически загружаемых многокамерных систем с центральным транспортно-загрузочным устройством

Примечание. Пункт 3.2.1.5 не применяется к автоматическим роботизированным системам для загрузки-разгрузки пластин (подложек), специально разработанным для параллельной обработки пластин (подложек);

3.2.1.4. Оборудование для литографии:

3.2.1.4.1. Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего: 8443 39 390 0;

8486 10 000

а) источник света с длиной волны короче 193 нм; или

б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 45 нм и менее

Техническое примечание. Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле: МРР = (длина волны источника света в нанометрах) x (К фактор) / (числовая апертура), где К фактор = 0,35;

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 16.03.2024 № 308)

3.2.1.4.2. Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 45 нм или менее 8443 39; 8486 20 900

Примечание. Пункт 3.1.2.4 включает:

а) инструментальные средства для микроконтактной литографии;

б) инструментальные средства для горячего тиснения;

в) литографические инструментальные средства для нанопечати;

г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати;

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 16.03.2024 № 308)

3.2.1.4.3. Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов, удовлетворяющее всем следующим условиям: а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; и б) имеющее любую из следующих характеристик: полную ширину пятна на полувысоте пучка менее 65 нм и на поверхности размещения изображения менее 17 нм (с вероятностью +3 сигма); или погрешность совмещения второго слоя менее 23 нм (с вероятностью +3 сигма) на шаблоне; 8456 11 000 0; 8456 12 000 0; 8486 20 900 3; 8486 40 000 1

3.2.1.4.4. Производственное оборудование, разработанное для прямого формирования рисунка на подложке, удовлетворяющее всем следующим условиям: а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный пучок; и б) имеющее любую из следующих характеристик: минимальный диаметр пучка 15 нм или менее; или погрешность совмещения второго слоя менее 27 нм (с вероятностью +3 сигма); 8456 11 000 0; 8456 12 000 0; 8486 20 900 3; 8486 40 000 1

3.2.1.5. Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1; 8486 90 900 3

3.2.1.6. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, иные чем определенные в пункте 3.2.1.6 и разработанные для применения в литографическом оборудовании, имеющем длину волны источника оптического излучения менее 245 нм 8486 90 900 3

Примечание. Пункт 3.2.1.8 не применяется к многослойным шаблонам с фазосдвигающим слоем, разработанным для изготовления запоминающих устройств, иных чем определенных в пункте 3.1.1

Особое примечание. Для масок и промежуточных шаблонов, специально разработанных для оптических датчиков см. пункт 6.2.2;

3.2.1.7.

Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1 8486 90 900 3

3.2.1.8. Шаблонные заготовки (на подложке) со структурой многослойного зеркала, состоящие из молибдена и кремния и имеющие все следующие характеристики: 8486 90 900 3

а) специально разработанные для субмикронной ультрафиолетовой литографии; и б) совместимые со стандартом SEMI P37

Техническое примечание. "Субмикронная ультрафиолетовая" относится к длинам волны электромагнитного спектра более 5 нм и менее 124 нм

3.2.2. Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:

3.2.2.1. Для измерения S-параметров изделий, определенных в пункте 3.1.1.2.3; 9031 80 380 0

3.2.2.2. Для испытания изделий, определенных в пункте 3.1.1.2.2 9030; 9031 20 000 0; 9031 80 380 0

3.3. Материалы

3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:

3.3.1.1. Кремний (Si); 3818 00 100 0; 3818 00 900 0

3.3.1.2. Германий (Ge); 3818 00 900 0

3.3.1.3. Карбид кремния (SiC); 3818 00 900 0

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

3.3.1.4. Соединения III - V на основе галлия или индия 3818 00 900 0

Примечание. Пункт 3.3.1.4 не применяется к подложкам, имеющим один эпитаксиальный слой P-типа или более на основе соединений GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AllnP или InGaAlP, независимо от последовательности элементов, за исключением случаев, когда эпитаксиальный слой P-типа находится между слоями N-типа

3.3.1.5. Оксид галлия (Ga2O3); или

(Дополнение пунктом - Постановление Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

3.3.1.6. Алмаз (С)

(Дополнение пунктом - Постановление Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

3.3.2. Резисты, определенные ниже, а также подложки, покрытые ими:

3.3.2.1. Резисты, разработанные для полупроводниковой литографии: 3824 84 000 0; 3824 85 000 0; 3824 86 000 0; 3824 87 000 0; 3824 88 000 0; 3824 99 920 3; 3824 99 920 8; 3824 99 960 8

а) позитивные резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от 15 нм до 193 нм;

б) резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от более 1 нм до 15 нм;

3.3.2.2. Все резисты, разработанные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/мм2 или лучше; 3824 84 000 0; 3824 85 000 0; 3824 86 000 0; 3824 87 000 0; 3824 88 000 0; 3824 99 920 3; 3824 99 920 8; 3824 99 960 8

3.3.2.3. Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка 3824 84 000 0; 3824 85 000 0; 3824 86 000 0; 3824 87 000 0; 3824 88 000 0; 3824 99 920 3; 3824 99 920 8; 3824 99 960 8

3.3.2.4. Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, определенным в пункте 3.1.2.4 и использующим процесс термообработки или светоотверждения 3824 84 000 0; 3824 85 000 0; 3824 86 000 0; 3824 87 000 0; 3824 88 000 0; 3824 99 920 3; 3824 99 920 8; 3824 99 960 8

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 16.03.2024 № 308)

3.3.3. Следующие органо-неорганические соединения:

3.3.3.1. Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999 процента; 2931 90 000 9

3.3.3.2.

Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999 процента 2931

Примечание. Пункт 3.3.3 применяется только к соединениям, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы

3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999 процента, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде 2850 00 200 0; 2853 90 900 0

Примечание. Пункт 3.3.4 не применяется к гидридам, содержащим 20 процентов или более молей инертных газов или водорода

3.3.5. Материалы с высоким сопротивлением: а) полупроводниковые подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN), нитрида галлия-алюминия (AlGaN), оксида галлия (Ga2O3), алмаза (C) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 10000 Ом·см при температуре 20°C;

б) поликристаллические или керамические подложки, имеющие сопротивление более 10000 Ом·см при температуре 20°C и как минимум один неэпитаксиальный монокристаллический слой из кремния (Si), карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN), нитрида галлия-алюминия (AlGaN), оксида галлия (Ga2O3) или алмаза (C) на поверхности подложки

3818 00 900 0

Примечание. Для материалов, состоящих из подложки по меньшей мере с одним эпитаксиальным слоем, см. пункт 3.3.1 или пункт 3.3.6

(Дополнение примечанием - Постановление Правительства Российской Федерации от 25.03.2026 № 317)

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

3.3.6. Материалы, не определенные в пункте 3.3.1, состоящие из подложек, определенных в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN), нитрида галлия-алюминия (AlGaN), оксида галлия (Ga2O3) или алмаза (C) 3818 00 900 0

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

3.4. Программное обеспечение

3.4.1. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, определенного в пунктах 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или 3.2

3.4.2. Программное обеспечение, специально разработанное для применения оборудования, определенного в пунктах 3.2.1.1 - 3.2.1.6 или 3.2.2

3.4.3. Программное обеспечение для вычислительной литографии, специально разработанное для формирования рисунков на масках или промежуточных шаблонах, получаемых путем субмикронной ультрафиолетовой литографии

Техническое примечание. Вычислительная литография - использование компьютерного моделирования для прогнозирования, корректировки, оптимизации и подтверждения качества формирования изображений литографического процесса с использованием различных шаблонов, процессов и состояний системы

3.4.4. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования (систем), определенного в пункте 3.1.3

3.4.5. Программное обеспечение, специально разработанное для восстановления нормальной работы микроЭВМ, микросхем микропроцессора или микроЭВМ в течение 1 мс после воздействия на них электромагнитными импульсами или электростатическими разрядами без прекращения выполняемых операций

3.4.6. Программное обеспечение электронных систем автоматизированного проектирования, специально разработанное для разработки интегральных схем с любым видом транзисторной геометрии, имеющим технологию полевого транзистора с круговым затвором, и имеющее любое из следующего: а) специально разработанное для внедрения уровня регистровых передач в геометрическую базу данных стандарта II;

или

б) специально разработанное для оптимизации правил питания или синхронизации

(Дополнение пунктом - Постановление Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

Технические примечания.

1. Электронные системы автоматизированного проектирования - это категория программных продуктов, используемых для разработки, анализа, оптимизации и проверки работоспособности интегральной схемы или печатной платы.

2. Уровень регистровых передач - это проектная абстракция, моделирующая синхронную цифровую схему, исходя из потока цифровых сигналов между аппаратными регистрами и логическими операциями, выполняемыми по этим сигналам.

3. Геометрическая база данных стандарта II - это формат файла базы данных, который де-факто является отраслевым стандартом обмена данными интегральной схемы или макета интегральной схемы

(Дополнение техническими примечаниями - Постановление Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

3.5. Технология

3.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему списку для разработки или производства оборудования, определенного в пункте 3.1 или 3.2, или материалов, определенных в пункте 3.3

Примечание. Пункт 3.5.1 не применяется: а) к технологиям для оборудования (систем) или компонентов, определенных в пункте 3.1.3; б) к технологиям для интегральных схем, определенных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и имеющих все следующее: использующих технологии при разрешении 0,130 мкм или выше (хуже); и содержащих многослойные структуры с тремя металлическими слоями или менее; в) к инструментарию по технологической подготовке производства до тех пор, пока он не включает в себя библиотеки, выполняющие функции или включающие технологии для изделий, определенных в пункте 3.1.1

Техническое примечание. К инструментарию по технологической подготовке производства относится пакет программного обеспечения, предоставленный производителем полупроводников, предназначенный для гарантирования того, что приняты во внимание требуемые практики и правила для успешного производства интегральных схем определенного дизайна в определенном полупроводниковом процессе в соответствии с технологическими и производственными ограничениями (каждый процесс производства полупроводников имеет свой собственный инструментарий по технологической подготовке производства)

3.5.2. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему списку другие по сравнению с теми, которые определены в пункте 3.5.1, для разработки или производства ядра микросхем микропроцессора, микроЭВМ или микроконтроллера, имеющих арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более и любые из нижеприведенных особенностей или характеристик:

а) блок векторного процессора, предназначенный для выполнения более двух вычислений с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно

Техническое примечание. Блок векторного процессора является процессорным элементом со встроенными операторами, которые выполняют многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно, имеющим, по крайней мере, одно векторное арифметико-логическое устройство и векторные регистры с числом элементов не менее 32 в каждом;

б) разработанных для выполнения более четырех 64-разрядных или более операций с плавающей запятой, проходящих за цикл; или

в) разработанных для выполнения более восьми 16-разрядных операций умножения с накоплением с фиксированной запятой, проходящих за цикл (например, цифровая обработка аналоговой информации, которая была предварительно преобразована в цифровую форму, также известная как цифровая обработка сигналов)

Технические примечания:

1. Для целей подпунктов "а" и "б" пункта 3.5.2 плавающая запятая определяется в соответствии со стандартом IEEE-754.

2. Для целей подпункта "в" пункта 3.5.2 фиксированная запятая относится к моноширинному действительному числу одновременно с целым и дробным числами и не включает в себя исключительно целые числа

Примечания:

1. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям мультимедийных расширений.

2. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям ядер микропроцессоров, имеющих все следующее: использующих технологии с разрешением 0,130 мкм или выше (хуже); и содержащих многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями.

3. Пункт 3.5.2 включает технологии для разработки или производства процессоров цифровой обработки сигналов и цифровых матричных процессоров

3.5.3. Прочие технологии разработки или производства:

а) вакуумных микроэлектронных приборов;

б) полупроводниковых электронных приборов на гетероструктурах, таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках

Примечание. Подпункт "б" пункта 3.5.3 не применяется к технологиям для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;

в) сверхпроводящих электронных приборов;

г) подложек из алмаза для электронных компонентов;

(Подпункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния;

е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов;

ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше;

з) подложек из оксида галлия для электронных компонентов

(Дополнение подпунктом - Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

3.5.4. Технологии, требуемые для резки, шлифовки и полировки кремниевых пластин диаметром 300 мм в целях достижения вычисленного методом наименьших квадратов расстояния от передней поверхности контактной площадки в 20 нм или менее для любой контактной площадки размером 26 мм x 8 мм на передней поверхности пластины и отклонения краев 2 мм или менее

Техническое примечание. Для целей пункта 3.5.4 расстояние от передней поверхности контактной площадки, вычисленное методом наименьших квадратов, - расстояние максимального и минимального отклонения от передней эталонной плоскости, вычисленное методом наименьших квадратов со всеми данными о передней поверхности, включая границы площадки в пределах контактной площадки

Категория 4. Вычислительная техника

Примечания:

1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации).

2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации)

Особое примечание. Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт 5.4.1

Техническое примечание. Оперативная память - основное место хранения данных или инструкций для быстрого доступа из центрального процессора. Состоит из внутренней памяти цифрового компьютера и любых иерархических расширений, таких как кэш-память или расширенная память параллельного доступа

4.1. Системы, оборудование и компоненты

4.1.1. ЭВМ и сопутствующее оборудование, специально разработанные, чтобы отвечать любому из нижеприведенных условий, а также электронные сборки и специально разработанные компоненты для них: 8471

а) быть определенными изготовителем для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-45°C) или выше 358 К (85°C); или

Примечание. Подпункт "а" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских автомобилей, железнодорожных поездов или гражданских летательных аппаратов

б) быть радиационно стойкими при превышении любого из определенных ниже требований:

1) общей дозы 5 x 10.3 Гр (по кремнию) [5 x 10.5 рад];

2) мощности дозы 5 x 10.6 Гр (по кремнию)/с [5 x 10.8 рад/с]; или 3) сбоя от однократного события 10-8 ошибок/бит/день

Примечание. Подпункт "б" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских летательных аппаратов

Особое примечание. В отношении ЭВМ и сопутствующего оборудования, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2

4.1.2. Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, определенные ниже, а также специально разработанные для них компоненты:

Примечания:

1. Пункт 4.1.2 включает:

а) векторные процессоры;

б) матричные процессоры;

в) процессоры цифровой обработки сигналов;

г) логические процессоры;

д) оборудование для улучшения качества изображения.

2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если:

а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем;

б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и

Особые примечания:

1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента.

2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации)

в) технология цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5

4.1.2.1.

Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 70 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ);

8471 60;

8471 70;

8471 80 000 0;

8471 90 000 0

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

4.1.2.2.

Электронные сборки, специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, определенное в пункте 4.1.2.1

8471 60;

8471 70;

8471 80 000 0;

8471 90 000 0

Примечания:

1. Пункт 4.1.2.2 применяется только к электронным сборкам и программируемым взаимосвязям, не превышающим пределы, определенные в пункте 4.1.2.1, при поставке в виде необъединенных электронных сборок. 2. Пункт 4.1.2.2 не применяется к электронным сборкам, специально разработанным для отдельных изделий или целого семейства изделий, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, определенные в пункте 4.1.2.1

Особое примечание.

Для электронных сборок, модулей или аппаратуры, выполняющих аналого-цифровые преобразования, см. пункт 3.1.2.7

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

4.1.2.3. Устройства, специально разработанные для получения общей производительности цифровых ЭВМ, объединенных с помощью внешних соединений, которые имеют однонаправленную скорость передачи данных, превышающую 2,0 Гбайт/с на канал 8471 90 000 0;

8517 61 000 1;

8517 62 000

Примечание.

Пункт 4.1.2.3 не применяется к внутренним (например, соединительные платы, шины) или пассивным устройствам связи, контроллерам доступа к сети или контроллерам каналов связи

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

4.1.3. ЭВМ, определенные ниже, и специально разработанные сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них:

4.1.3.1. ЭВМ с систолической матрицей; 8471

4.1.3.2. Нейронные ЭВМ; 8471

4.1.3.3. Оптические ЭВМ 8471

Технические примечания: 1. ЭВМ с систолической матрицей - компьютер, в котором поток данных и их преобразование могут контролироваться динамически на уровне логической схемы пользователя. 2. Нейронная ЭВМ - вычислительное устройство, разработанное или модифицированное для имитации поведения нейрона или совокупности нейронов, например вычислительное устройство, характеризуемое способностью аппаратуры модулировать вес и количество взаимных связей множества вычислительных компонентов на основе предыдущей информации.

3. Оптическая ЭВМ - аппаратура, спроектированная или модифицированная в целях использования оптического излучения для представления данных, вычислительные логические элементы которой основаны на непосредственно связанных между собой оптических устройствах

4.1.4. Системы, оборудование и компоненты, специально разработанные или модифицированные для создания, функционирования или внедрения с использованием средств связи программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети 8471; 8541 59 000 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0

4.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет

4.3. Материалы - нет

4.4. Программное обеспечение

Примечание. Контрольный статус программного обеспечения для оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории

4.4.1. Программное обеспечение следующих видов:

4.4.1.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно;

4.4.1.2. Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 4.4.1.1, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства:

а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 24 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или

(Подпункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 16.03.2024 № 308)

б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.4.1.2

Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт 4.4.1 раздела 2

4.4.3. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для создания, функционирования или внедрения с использованием средств связи программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети

Примечание. Пункт 4.4.3 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному для предоставления обновлений или модернизации программного обеспечения (ограниченного указанными функциями), соответствующему всему следующему: а) обновление или модернизация запускается только при авторизации владельцем или администратором системы, получающей обновление или модернизацию; и б) после обновления или модернизации обновленное или модернизированное программное обеспечение не является любым из следующего: программным обеспечением, определенным в пункте 4.4.3; или программным обеспечением, предназначенным для несанкционированного доступа в компьютерные сети

4.5. Технология

4.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно

4.5.2. Технологии иные, чем определенные в пункте 4.5.1, специально разработанные или модифицированные для разработки или производства:

а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 24 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или

(Подпункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 16.03.2024 № 308)

б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.5.2

4.5.3. Технологии для разработки программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети

Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 раздела 2

Примечания:

1. Пункты 4.5.1 и 4.5.3 не применяются к технологиям обнаружения уязвимостей и реагирования на кибератаку. 2. Пункт 1 настоящего примечания не ограничивает право национального уполномоченного органа страны-экспортера убедиться в соответствии технологий условиям пунктов 4.5.1 и 4.5.3

Техническое примечание по определению приведенной пиковой производительности (ППП).

ППП - приведенная пиковая скорость, на которой цифровые ЭВМ выполняют 64-разрядные или более операции сложения и умножения с плавающей запятой.

Сокращения, используемые в настоящем техническом примечании:

n - количество процессоров в цифровой ЭВМ;

i - номер процессора (i,... n);

ti - время цикла процессора (ti = 1/Fi);

Fi - частота процессора;

Ri - пиковая скорость вычисления с плавающей запятой;

Wi - коэффициент согласования с архитектурой.

ППП выражается во взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) - триллионах (10.12) приведенных операций с плавающей запятой в секунду.

Схема способа вычисления ППП:

1. Для каждого процессора i определяется максимальное количество 64-разрядных или более операций с плавающей запятой (ОПЗi), выполняемых за цикл каждым процессором цифровой ЭВМ.

Примечание.

При определении ОПЗ учитываются только 64-разрядные или более операции сложения или умножения с плавающей запятой за цикл процессора. Операции, требующие многочисленных циклов, могут быть выражены в дробных результатах за цикл процессора. Для процессоров, неспособных выполнять вычисления с 64-разрядными или более операциями с плавающей запятой, эффективная скорость вычисления R равна нулю.

2. Вычисляется скорость с плавающей запятой R для каждого процессора:

Ri = ОПЗi / ti.

3. Вычисляется ППП следующим образом:

ППП = W1 x R1 + W2 x R2 + … + Wn x Rn.

4. Для векторных процессоров - Wi = 0,9, для невекторных процессоров - Wi = 0,3.

Примечания:

1. Для процессоров, которые выполняют составные операции в цикле, такие как сложение и умножение, считается каждая операция.

2. Для конвейерного процессора эффективная скорость вычисления R выше конвейерной скорости при загруженном конвейере или неконвейерной скорости.

3. Скорость вычисления R каждого содействующего процессора должна быть рассчитана по его максимальной теоретически возможной величине перед определением ППП всей комбинации процессоров. Одновременные операции считаются таковыми, когда производитель ЭВМ заявляет в руководстве пользователя или документации к ЭВМ о совпадающих, параллельных или одновременных операциях или процессах исполнения процессором команд программы.

4. При вычислении ППП не учитываются процессоры, ограниченные входными/выходными и периферийными функциями (например, дисководы, устройства связи и мониторы).

5. Значения ППП не следует вычислять для комбинаций процессоров, объединенных локальными сетями, глобальными сетями, совместно используемыми соединениями/устройствами ввода/вывода, контроллерами ввода/вывода и любыми коммуникационными соединениями, осуществляемыми при помощи программного обеспечения.

6. Значения ППП должны вычисляться для комбинаций процессоров, содержащих специально разработанные процессоры для повышения производительности путем объединения одновременно работающей и совместно используемой памяти.

Технические примечания:

1. Объединение всех процессоров и ускорителей, работающих одновременно и расположенных на одной матрице.

2. Комбинации процессоров могут достигаться путем использования электронных сборок, определенных в пункте 4.1.2.3, и используют память, когда любой из процессоров способен получить доступ к любой ячейке памяти в системе посредством передачи аппаратным средством строк кэша или слов памяти без привлечения какого-либо программного механизма.

7. Векторный процессор определяется как процессор со встроенными командами, который выполняет многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 64-разрядными и более массивами) одновременно, имеющий по крайней мере два векторных функциональных устройства и восемь регистров для хранения векторов емкостью по крайней мере 64 элемента каждый.

№ пункта

Наименование*

Код ТН ВЭД*

Категория 5

Часть 1. Телекоммуникации

Примечания:

1. В части 1 категории 5 определяется контрольный статус компонентов, испытательного и производственного оборудования, а также программного обеспечения для них, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем

Особые примечания: В отношении лазеров, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем, см. пункт 6.1.5

2. В тех случаях, когда для функционирования или поддержки телекоммуникационного оборудования, описанного в этой категории, и его обеспечения важное значение имеют цифровые ЭВМ, сопутствующее оборудование или программное обеспечение, последние рассматриваются в качестве специально разработанных компонентов при условии, что они являются стандартными моделями, обычно поставляемыми производителем. Это относится к компьютерным системам, реализующим функции управления, сетевого администрирования, технического обслуживания, проектирования или прогнозирования трафика

5.1.1. Системы, оборудование и компоненты (телекоммуникационные системы, оборудование (аппаратура), компоненты и принадлежности, определенные ниже)

5.1.1.1. Телекоммуникационное оборудование любого типа, имеющее любую из следующих характеристик, функций или возможностей:

5.1.1.1.1. Специально разработанное для сохранения работоспособности при кратковременных электронных воздействиях или воздействиях электромагнитных импульсов, возникающих при ядерном взрыве; 8517 13 000 0; 8517 14 000 0 8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8517 69 390 0; 8525 60 000 9; 8541 59 000 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0

5.1.1.1.2. Специально повышенную стойкость к гамма-, нейтронному или ионному излучению; 8517 13 000 0; 8517 14 000 0; 8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8517 69 390 0; 8525 60 000 9; 8541 59 000 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0

5.1.1.1.3. Специально разработанное для функционирования при температуре ниже 218 К (-55°C); или 8517 13 000 0; 8517 14 000 0; 8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8517 69 390 0; 8525 60 000 9; 8541 59 000 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0;

5.1.1.1.4. Специально разработанное для функционирования при температуре выше 397 К (124°C) 8517 13 000 0 8517 14 000 0 8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8517 69 390 0; 8525 60 000 9; 8541 59 000 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0

Примечания: 1. Пункты 5.1.1.1.3 и 5.1.1.1.4 применяются только к электронному оборудованию.

2. Пункты 5.1.1.1.2 - 5.1.1.1.4 не применяются к оборудованию, разработанному или модифицированному для использования на борту спутников

5.1.1.2. Телекоммуникационные системы и оборудование, а также специально разработанные для них компоненты и принадлежности, имеющие любую из следующих характеристик, функций или возможностей:

5.1.1.2.1. Являющиеся системами подводной беспроводной связи, имеющими любую из следующих характеристик: 9014 80 000 0; 9015 80 910 0

а) акустическую несущую частоту за пределами интервала от 20 кГц до 60 кГц;

б) использующими электромагнитную несущую частоту ниже 30 кГц; или

в) использующими электронное управление положением главного лепестка (диаграммы направленности антенны); или

г) использующими в локальной сети лазеры или светоизлучающие диоды (СИД) с выходной длиной волны более 400 нм, но менее 700 нм;

5.1.1.2.2. Являющиеся радиоаппаратурой, работающей в диапазоне частот 1,5 МГц - 87,5 МГц и имеющей все следующие характеристики: 8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8525 60 000 9

а) возможность автоматически прогнозировать и выбирать частоты и общие скорости цифровой передачи в канале для оптимизации передачи полезного сигнала; и

б) встроенный линейный усилитель мощности, способный одновременно пропускать множество сигналов с выходной мощностью 1 кВт или более в диапазоне частот от 1,5 МГц до 30 МГц или 250 Вт или более в диапазоне частот от 30 МГц до 87,5 МГц включительно на мгновенной ширине полосы частот в одну октаву или более и с гармониками и искажениями на выходе лучше -80 дБ;

5.1.1.2.3. Являющиеся радиоаппаратурой, использующей методы расширения спектра, включая метод скачкообразной перестройки частоты, не определенной в пункте 5.1.1.2.4, имеющей любую из следующих характеристик: 8517 13 000 0; 8517 14 000 0; 8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8525 60 000 9

а) коды расширения, программируемые пользователем; или

б) общую ширину передаваемой полосы частот выше 50 кГц, при этом она в 100 или более раз превышает ширину полосы частот любого единичного информационного канала

Примечание. Подпункт "б" пункта 5.1.1.2.3 не применяется к радиоаппаратуре, специально разработанной для использования с любым из следующего:

а) гражданскими системами сотовой радиосвязи; или

б) стационарными или мобильными наземными спутниковыми станциями для гражданских коммерческих сетей связи

Примечание. Пункт 5.1.1.2.3 не применяется к аппаратуре, разработанной для эксплуатации с выходной мощностью 1,0 Вт или менее

Особое примечание. В отношении радиоаппаратуры, указанной в пункте 5.1.1.2.3, см. также пункт 5.1.1.1.1 раздела 2;

5.1.1.2.4. Являющиеся радиоаппаратурой, использующей технику сверхширокополосной модуляции, имеющей программируемые пользователем коды формирования каналов, коды шифрования или коды опознавания сети, имеющей любую из следующих характеристик: 8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8525 60 000 9

а) ширину полосы частот, превышающую 500 МГц; или

б) относительную ширину полосы частот 20 процентов или более;

5.1.1.2.5. Являющиеся радиоприемными устройствами с цифровым управлением, имеющими все следующие характеристики: 8517 61 000 8

а) более 1000 каналов;

б) время переключения канала менее 1 мс;

в) автоматический поиск или сканирование в части спектра электромагнитных волн; и

г) возможность идентификации принятого сигнала или типа передатчика; или

Примечание. Пункт 5.1.1.2.5 не применяется к устройствам, специально разработанным для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи

Техническое примечание. Время переключения канала - время (задержка по времени), необходимое для перехода с одной приемной частоты на другую для достижения диапазона частот в пределах ± 0,05 процента от значения конечной определенной приемной частоты. Изделия, имеющие заданный приемный частотный диапазон в пределах менее ± 0,05 процента около их центральной частоты, определяются как неспособные к переключению частоты канала (часть 1 категории 5)

Особое примечание. В отношении радиоприемных устройств, указанных в пункте 5.1.1.2.5, см. также пункт 5.1.1.1.2 раздела 2 и пункт 5.1.1.1 раздела 3;

5.1.1.2.6. Использующие функции цифровой обработки сигнала на выходном устройстве для обеспечения кодирования речи со скоростью менее 700 бит/с 8517 13 000 0; 8517 14 000 0; 8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8525 60 000 9

Технические примечания:

1. Пункт 5.1.1.2.6 применяется при наличии выходного устройства для кодирования речевых сигналов связной речи с изменяющейся скоростью.

2. Для целей пункта 5.1.1.2.6 "кодирование речи" определяется как техника взятия образцов человеческого голоса с последующим преобразованием этих образцов в цифровой сигнал с учетом специфических параметров человеческой речи

5.1.1.3. Оптические волокна длиной более 500 м и определенные производителем как способные выдерживать при контрольном испытании растягивающее напряжение 2 x 10.9 Н/м2 или более 8544 70 000 0; 9001 10 900

Техническое примечание. Контрольное испытание - отборочное испытание в режиме онлайн (встроенное в технологическую цепочку получения волокна) или проводимое отдельно, которое заключается в приложении заданного растягивающего напряжения к движущемуся со скоростью от 2 м/с до 5 м/с волокну на участке длиной от 0,5 м до 3 м между натяжными барабанами диаметром около 150 мм. Испытания могут проводиться по соответствующим национальным стандартам при температуре окружающей среды 293 К (20°C) и относительной влажности 40 процентов

Особое примечание. Для подводных составных кабелей см. пункт 8.1.2.1.3;

5.1.1.4. Фазированные антенные решетки с электронным управлением диаграммой направленности, определенные для работы: а) на частотах выше 31,8 ГГц, но не более 57 ГГц при эффективной мощности излучения (ЭМИ), равной или более +20 дБм (22,15 дБм эффективной изотропно излучаемой мощности (ЭИИМ); б) на частотах выше 57 ГГц, но не более 66 ГГц и имеющие ЭМИ, равную или более +24 дБм (26,15 дБм ЭИИМ); в) на частотах выше 57 ГГц, но не более 66 ГГц и имеющие ЭМИ, равную или более +20 дБм (22,15 дБм ЭИИМ); г) на частотах выше 90 ГГц 8529 10 950 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0

Примечания: 1. Пункт 5.1.1.4 не применяется к фазированным антенным решеткам с электронным управлением диаграммой направленности для систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам Международной организации гражданской авиации (ИКАО), перекрывающим системы посадки СВЧ-диапазона (MLS).

2. Пункт 5.1.1.4 не применяется к антеннам, специально разработанным для любого из следующего: а) гражданских сотовых или беспроводных локальных сетей систем радиосвязи; б) беспроводной ближней коротковолновой радиосвязи (на расстояниях до 30 м), позволяющей объединять устройства разных типов для передачи речи и данных, или беспроводного HDMI-стандарта; или в) стационарных или мобильных спутниковых наземных станций, используемых для коммерческих гражданских телекоммуникаций

Техническое примечание. Для целей пункта 5.1.1.4 фазированной антенной решеткой с электронным управлением диаграммой направленности является антенна, формирующая луч посредством фазовых соотношений (то есть направление луча управляется сложными относительными комплексными амплитудами возбуждения излучающих элементов), при этом направление луча может изменяться посредством приложения электрического сигнала (как при приеме, так и при передаче) по азимуту или высоте либо по обеим координатам одновременно

5.1.1.5. Оборудование радиопеленгации, работающее на частотах выше 30 МГц и имеющее все следующие характеристики, и специально разработанные для него компоненты: 8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8526 91 200 0

а) мгновенную ширину полосы частот, равную 10 МГц или выше; и

б) способное находить азимутальное направление (АН) к невзаимодействующим радиопередатчикам с длительностью сигнала менее 1 мс

5.1.1.6. Оборудование для прослушивания (перехвата) или глушения (подавления) мобильной дистанционной связи и оборудование для его мониторинга, определенное ниже, а также специально разработанные для такого оборудования компоненты:

5.1.1.6.1. Оборудование для прослушивания (перехвата), разработанное для выделения сигналов голосовых или информационных данных, передающихся через радиоинтерфейс; 8517 62 000 9; 8517 69 390 0; 8517 69 900 0; 8518 10; 8525 60 000 9; 8541 59 000 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0; 9013 20 000 0

5.1.1.6.2. Оборудование для прослушивания (перехвата), не определенное в пункте 5.1.1.6.1, разработанное для выделения сигналов устройств пользователей или идентификаторов абонентов (например, международный идентификационный номер подвижного абонента (IMSI), временный международный идентификационный номер подвижного абонента (TIMSI) или международная идентификация мобильного оборудования (IMEI-номер), сигнальных или других метаданных, передающихся через радиоинтерфейс 8517 62 000 9; 8517 69 390 0; 8517 69 900 0; 8518 10; 8525 60 000 9; 8541 59 000 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0; 9013 20 000 0

Примечание. Пункты 5.1.1.6.1 и 5.1.1.6.2 не применяются к любому из следующего оборудования:

а) специально разработанному для прослушивания (перехвата) аналоговой частной подвижной радиосвязи (PMR) (стандарт Института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике для беспроводных локальных сетей IEEE 802.11 WLAN);

б) разработанному для операторов сетей мобильной дистанционной связи; или

в) предназначенному для разработки либо производства оборудования или систем мобильной дистанционной связи;

г) специальным техническим средствам, проводным и беспроводным (системам, радиоэлектронным и электронным устройствам), предназначенным для негласного прослушивания (перехвата) телефонных переговоров, перехвата и регистрации информации с технических каналов связи;

5.1.1.6.3.

Оборудование глушения (подавления) сигналов, специально разработанное или модифицированное для умышленного и избирательного вмешательства в работу мобильной дистанционной связи, препятствования ее осуществлению, замедления, ухудшения или сбоя связи и выполняющее любую из следующих функций: 8525 60 000 9; 8526 10 000 9

а) имитирующее функции оборудования сети радиосвязи с абонентами;

б) обнаруживающее и использующее специфические характеристики применяемого протокола мобильной сети (например, GSM); или

в) использующее специфические характеристики применяемого протокола мобильной сети (например, GSM);

5.1.1.6.4. Радиочастотное оборудование для мониторинга, разработанное или модифицированное для идентификации работы продукции, определенной в пункте 5.1.1.6.1, 5.1.1.6.2 или 5.1.1.6.3 8517 62 000 9; 8517 69 390 0; 8517 69 900 0; 8526 10 000 9; 8541 59 000 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0

Особое примечание. Для радиоприемных устройств см. пункт 5.1.1.2.5

5.1.1.7. Системы или оборудование пассивной когерентной локации, специально разработанные для обнаружения движущихся объектов и слежения за ними путем измерения отраженных от объектов радиочастотных излучений, создаваемых нелокационными передатчиками 8526 10 000 9

Техническое примечание. К нелокационным передатчикам могут относиться коммерческие радио- и телевизионные станции или базовые станции сотовой связи

Примечание. Пункт 5.1.1.7 не применяется к любому из следующего:

а) радиоастрономическому оборудованию; или

б) системам или оборудованию, которым требуется какой-либо радиосигнал от движущегося объекта

5.1.1.8. Оборудование, противодействующее самодельным взрывным устройствам, и сопутствующее оборудование:

5.1.1.8.1. Радиочастотное (RF) передающее оборудование, не определенное в пункте 5.1.1.6, разработанное или модифицированное для преждевременного приведения в действие самодельных взрывных устройств или предотвращения их инициирования; 8517 62 000 9; 8517 69 900 0; 8526 10 000 9

5.1.1.8.2. Оборудование, использующее методы, разработанные для поддержания линии радиосвязи на тех же частотных каналах, на которых осуществляется передача находящимся вблизи оборудованием, определенным в пункте 5.1.1.8.1 8517 62 000 9; 8517 69 900 0; 8526 10 000 9

Особое примечание. В отношении оборудования, указанного в пункте 5.1.1.8, см. также пункт 5.1.1.2 разделов 2 и 3

5.1.1.9. Системы или оборудование контроля сетевой связи, работающие с протоколом IP, и специально разработанные для них компоненты, имеющие все следующее: 8471; 8517 62 000; 8517 69 900 0; 8526 10 000 9; 8541 59 000 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0; 9030 40 000 0

а) выполняющие все следующее в IP-сети (например, национальный уровень передающей по протоколу IP-среды): анализ на прикладном уровне (например, седьмой уровень модели взаимодействия открытых систем (BOC, ISO/IEC 7498-1); извлечение выбранных метаданных и прикладных программ (голос, видео, сообщения, приложения); и индексацию извлеченных данных; и

б) являющиеся специально разработанными для выполнения всего следующего: поиска на основе четко заданных критериев; и отображения реляционной сети отдельных лиц или группы лиц

Примечание. Пункт 5.1.1.9 не применяется к системам или оборудованию, специально разработанным для любого из следующего:

а) рекламных целей;

б) оценки качества и класса предоставляемых услуг передачи данных по сети; или

в) оценки квалификации

5.2.1.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование (телекоммуникационное испытательное, контрольное и производственное оборудование (аппаратура), компоненты и принадлежности, определенные ниже)

5.2.1.1. Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально разработанные для разработки или производства оборудования, функций или возможностей, определенных в пункте 5.1.1

Примечание. Пункт 5.2.1.1 не применяется к оборудованию определения параметров оптического волокна

Особое примечание. В отношении оборудования и компонентов или принадлежностей для него, указанных в пункте 5.2.1.1, см. также пункт 5.2.1.1 раздела 2

5.2.1.2. Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально разработанные для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего или коммутационного оборудования:

5.2.1.2.1. Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:

а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; или

б) использующего аналоговую технику при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц; или

Примечание. Подпункт "г" пункта 5.2.1.2.1 не применяется к оборудованию, специально разработанному для разработки систем коммерческого телевидения;

5.2.1.2.2. Радиоаппаратуры, использующей технику квадратурной амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 1024

5.3.1. Материалы - нет

5.4.1. Программное обеспечение

5.4.1.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, функций или возможностей, определенных в пункте 5.1.1

Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.1, см. также пункт 5.4.1.1 разделов 2 и 3

5.4.1.2. Специальное программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обеспечения характеристик, функций или возможностей оборудования, определенного в пункте 5.1.1 или 5.2.1

5.4.1.3. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего или коммутационного оборудования:

5.4.1.3.1. Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:

а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; или

б) использующего аналоговую технику при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц; или

Примечание. Подпункт "б" пункта 5.4.1.3.1 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для разработки систем коммерческого телевидения

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

5.4.1.3.2. Радиоаппаратуры, использующей технику квадратурной амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 1024

5.4.1.4. Программное обеспечение, иное чем указанное в пункте 5.4.1.1 или 5.4.1.3, которое специально разработано или модифицировано для мониторинга или анализа правоохранительными органами, обеспечивающее все следующее:

а) поиск на основе жестких идентификаторов либо содержания сообщений связи, либо метаданных, полученных от поставщика коммуникационных услуг с использованием интерфейса передачи абонентского соединения; и

Технические примечания:

1. Для целей пункта 5.4.1.4 интерфейс передачи абонентского соединения - физический и логический интерфейсы, которые предназначены для использования уполномоченными правоохранительными органами и способны осуществить меры целенаправленного перехвата в случае требования к поставщику коммуникационных услуг в целях дальнейшей передачи результатов перехвата от поставщика коммуникационных услуг правоохранительному органу, запросившему проведение такой процедуры. Интерфейс передачи абонентского соединения применяется в рамках систем или оборудования (например, промежуточных устройств), которые получают и подтверждают запрос о перехвате и предоставляют соответствующему правоохранительному органу исключительно результаты перехвата, удовлетворяющие подтвержденный запрос.

2. Интерфейсы передачи абонентского соединения могут указываться в рамках международных стандартов (включая, но не ограничиваясь стандартами ETSI TS 101 331, ETSI TS 101 671, 3GPP TS 33.108) или их национальных эквивалентов

(Подпункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

б) отображение реляционной сети в виде карты или отслеживание перемещений конкретных людей на основе результатов поиска содержания сообщений связи либо метаданных или поиска, указанного в подпункте "а" пункта 5.4.1.4

Примечание. Пункт 5.4.1.4 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для любого из следующего:

а) биллинга;

б) оценки качества сетевого обслуживания;

в) функций сбора данных в сетевых элементах;

г) контроля качества эксплуатации; или

д) мобильных платежей или использования услуг мобильных банков

(Подпункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

5.5.1. Технология

5.5.1.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения (исключая эксплуатацию) оборудования или его функциональных возможностей, определенных в пункте 5.1.1, или программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.1.1 или 5.4.1.4

Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пункте 5.5.1.1, см. также пункт 5.5.1.1 разделов 2 и 3

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

5.5.1.2. Специальные технологии следующих видов:

5.5.1.2.1. Технология разработки или производства телекоммуникационного оборудования, специально разработанного для использования на борту спутников;

5.5.1.2.2. Технология разработки или применения техники лазерной связи со способностью автоматического захвата и удержания сигнала и поддержания связи через внеатмосферную или подземную (подводную) передающую среду;

5.5.1.2.3. Технология разработки приемной аппаратуры цифровых базовых сотовых радиостанций, приемные параметры которых, допускающие многодиапазонный, многоканальный, многомодовый, многокодируемый алгоритм или многопротокольную работу, могут быть модифицированы изменениями в программном обеспечении;

5.5.1.2.4. Технология разработки аппаратуры, использующей методы расширения спектра, включая методы скачкообразной перестройки частоты

Примечание. Пункт 5.5.1.2.4 не применяется к технологиям разработки любого из следующего:

а) гражданских сотовых радиокоммуникационных систем; или

б) стационарных или мобильных наземных спутниковых станций для гражданских коммерческих сетей связи

5.5.1.3. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства любого из следующего телекоммуникационного оборудования (аппаратуры), в том числе коммутационного:

5.5.1.3.1. Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:

а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;

б) использующего при распределении длин волн технику мультиплексирования оптических несущих частот с интервалом менее 100 ГГц; или

в) использующего аналоговую технику при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц

Примечание. Подпункт "д" пункта 5.5.1.3.2 не применяется к технологиям разработки или производства систем коммерческого телевидения

Особое примечание. Для технологии разработки или производства нетелекоммуникационного оборудования, использующего лазер, см. пункт 6.5;

5.5.1.3.2. Оборудования, использующего оптическую коммутацию и имеющего время переключения менее 1 мс;

5.5.1.3.3. Радиоаппаратуры, имеющей любое из следующего:

а) использующей технику квадратурной амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 1024;

б) работающей на входных или выходных частотах, превышающих 31,8 ГГц; или

Примечание. Подпункт "б" пункта 5.5.1.3.4 не применяется к технологиям разработки или производства оборудования, разработанного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения

в) работающей в диапазоне частот 1,5 МГц - 87,5 МГц и включающей адаптивные средства управления, обеспечивающие более 15 дБ подавления помехи; или

5.5.1.3.4. Мобильного оборудования, имеющего все следующее:

а) работающего на длине световой волны в диапазоне от 200 нм до 400 нм включительно; и

б) работающего как локальная сеть

5.5.1.4. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства монолитных микроволновых интегральных схем (ММИС) - усилителей мощности, специально разработанных для телекоммуникации и имеющих любое из следующего:

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15 процентов и имеющие любое из следующего: пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно; пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно; пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов и имеющие любое из следующего: пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5 процентов; или

з) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц

Техническое примечание. Для целей пункта 5.5.1.4 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения могут также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность

5.5.1.5. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства электронных приборов и схем, специально разработанных для телекоммуникации и содержащих компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанных для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих и имеющих любое из следующего:

а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10-14 Дж; или

б) частотную селекцию на всех частотах с использованием резонансных контуров со значением добротности, превышающим 10000

Часть 2. Защита информации

Примечания:

1. Часть 2 категории 5 не применяется к товарам, когда они вывозятся пользователем для личного использования.

2. Криптографическое примечание. Пункт 5.1.2, подпункт "а" пункта 5.4.2.1, пункт 5.4.2.2 и подпункт "а" пункта 5.4.2.3 не применяются к следующей продукции:

а) продукции, соответствующей всему следующему:

1) общедоступной для продажи населению без ограничений из имеющегося в наличии ассортимента в местах розничной продажи посредством любого из следующего: продажи за наличные; продажи путем заказа товаров по почте; электронных сделок; или продажи по телефонным заказам;

2) криптографические функциональные возможности которой не могут быть легко изменены пользователем;

3) разработанной для установки пользователем без дальнейшей существенной поддержки поставщиком; и

4) доступные части которой в случае необходимости будут представлены экспортерами национальному уполномоченному органу страны-экспортера по требованию последнего, чтобы убедиться в их соответствии условиям, изложенным в пунктах 1 - 3 подпункта "а" настоящего криптографического примечания;

б) компонентам аппаратных средств или исполняемому программному обеспечению в составе продукции, описанной в подпункте "а" настоящего криптографического примечания, которые были разработаны для этой продукции и соответствуют всем следующим требованиям:

1) защита информации не является основной функцией или набором основных функций компонента или исполняемого программного обеспечения;

2) компонент или исполняемое программное обеспечение не меняет каких-либо криптографических возможностей указанной продукции или не добавляет ей новых криптографических возможностей;

3) набор функциональных возможностей компонента или исполняемого программного обеспечения является неизменным и не может быть перепроектирован или модифицирован по требованию покупателя; и

4) части компонента или исполняемого программного обеспечения и важных готовых элементов, определяемых национальным уполномоченным органом страны-экспортера, являются доступными и в случае необходимости будут представлены этому уполномоченному органу по его требованию, чтобы убедиться в их соответствии техническим условиям, изложенным выше

Техническое примечание. Для целей криптографического примечания исполняемое программное обеспечение означает программное обеспечение в исполняемой форме для компонентов аппаратных средств, выведенных из-под контроля криптографическим примечанием

Примечание. Исполняемое программное обеспечение не включает завершенные бинарные изображения программного обеспечения, запущенного на готовом изделии

Примечания к криптографическому примечанию:

1. Чтобы соответствовать требованиям подпункта "а" криптографического примечания, должно быть соблюдено все нижеследующее:

а) продукция должна быть товаром массового производства и доступна широкому кругу физических и юридических лиц; и

б) информация об основных функциях продукции должна быть общедоступной и цена ее должна быть известна до закупки, без необходимости консультации с продавцом или поставщиком. Простое осведомление о цене не считается консультацией.

2. Для определения приемлемости применения подпункта "а" криптографического примечания национальные уполномоченные органы страны-экспортера могут принимать во внимание такие существенные факторы, как количество, цена, необходимые технические навыки потребителя, каналы продаж, наиболее вероятные покупатели, возможные области применения или какие-либо юридические ограничения, вытекающие из практики поставок

Криптографическая защита информации

5.1.1. Системы защиты информации, оборудование и компоненты, определенные ниже:

Особое примечание. В отношении приемного оборудования навигационных спутниковых систем, содержащего или использующего функции дешифрования, см. пункт 7.1.5, а в отношении дешифрующего программного обеспечения и технологий см. пункты 7.4.5 и 7.5.1

5.1.2.1. Разработанные или модифицированные для использования криптографии в целях обеспечения конфиденциальности данных, имеющие описанный алгоритм защиты, где используемые криптографические возможности были активированы или могут быть активированы любыми средствами, отличными от безопасной криптографической активации, такие как: а) оборудование, для которого защита информации является основной функцией;

б) системы, оборудование или компоненты, предназначенные для цифровой передачи данных, не определенные в подпункте "а" настоящего пункта;

в) ЭВМ и другое оборудование, основной функцией которых является хранение и обработка информации, и компоненты для них, не определенные в подпунктах "а" или "б" настоящего пункта

8471;

8541 59 000 0;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0

Особое примечание. Для операционных систем см. также

подпункт "а" пункта 5.4.2.1 и подпункт "а" пункта 5.4.2.3

г) оборудование, не определенное в подпунктах "а" - "в" настоящего пункта, в котором функция криптографии для обеспечения конфиденциальности данных, использующая описанный алгоритм защиты, соответствует всему следующему:

обеспечивает вспомогательные функции оборудования; и

выполняется встроенным оборудованием или программным обеспечением, которое в качестве отдельного элемента определено в части 2 категории 5

Технические примечания к пункту 5.1.2.1: 1. Для целей пункта 5.1.2.1 криптографию, предназначенную для обеспечения конфиденциальности данных, следует рассматривать как криптографию, которая использует цифровые методы и выполняет криптографическую функцию, отличную от любой из указанных ниже:

а) аутентификации;

б) электронно-цифровой подписи;

в) контроля целостности данных;

г) безотказности;

д) управления цифровыми правами, включая выполнение программного обеспечения, защищенного от копирования;

е) шифрования или дешифрования в целях поддержки управления в сфере развлечений, массовых коммерческих трансляций или ведения медицинской документации; или

ж) управления ключами (распределения ключевой информации) для поддержки любой из функций, описанных в пунктах "а" - "е" настоящего технического примечания.

2. Для целей пункта 5.1.2.1 описанный алгоритм защиты означает любое из следующего:

а) симметричный алгоритм, использующий ключ длиной свыше 56 бит, не считая битов четности;

б) асимметричный алгоритм, защита которого основывается на любом из следующих методов:

факторизация (разложение на сомножители) целых чисел, размер которых превышает 512 бит (например, алгоритм RSA);

вычисление дискретных логарифмов в мультипликативной группе конечного поля размером более 512 бит (например, алгоритм Диффи-Хеллмана на группе Z/pZ); или

вычисление дискретных логарифмов в группе, отличное от указанного в абзаце третьем настоящего подпункта и превышающее 112 бит (например, алгоритм Диффи-Хеллмана на эллиптической кривой); или

в) асимметричный алгоритм, защита которого основывается на любом из следующих методов:

выявление аномалий с самым коротким или самым близким одномерным массивом данных, состоящее из однотипных элементов, связанных с алгебраическими решетками CRYSTALS (например, алгоритмы NewHope, Frodo, NTRUEncrypt, Kyber, Titanium);

поиск изогений между суперсингулярными эллиптическими кривыми (например, суперсингулярная изогения обмена ключами); или

дешифрование случайных кодов (например, алгоритмы McEliece, Niederreiter)

Техническое примечание. Алгоритм, описанный в подпункте "в" технического примечания 2 к пункту 5.1.2.1, может быть постквантовым, квантово-безопасным или квантово-устойчивым

Примечания к пункту 5.1.2.1: 1. В случае необходимости отдельные элементы изделий должны быть доступными и переданы экспортерами контролирующим органам Российской Федерации по их требованию для подтверждения любых из следующих условий:

а) соответствие изделия критериям подпунктов "а" - "г" пункта 5.1.2.1; или

б) доступность определенных в пункте 5.1.2.1 криптографических возможностей для обеспечения конфиденциальности данных без криптографической активации.

2. Пункт 5.1.2.1 не применяется к любому из следующих изделий или к любым специально разработанным для них компонентам для защиты информации:

а) смарт-картам и устройствам чтения и (или) записи смарт-карт, включая:

1) смарт-карты или электронно-считываемые персональные документы (например, жетоны, электронные паспорта), удовлетворяющие любому из следующих условий:

криптографические возможности которых соответствуют всему следующему:

ограничены для использования в любом из следующего:

оборудовании или системах, не указанных в подпунктах "а" - "г" пункта 5.1.2.1;

оборудовании или системах, не использующих криптографию, предназначенную для обеспечения конфиденциальности данных, на основе указанного алгоритма защиты; или

оборудовании или системах, исключенных из-под контроля по пункту 5.1.2.1 пунктами "б" - "е" примечания 2 к пункту 5.1.2.1; и

не могут быть перепрограммированы для других целей; или

имеющие все следующие характеристики:

конструктивно и функционально ограничены применением в целях защиты хранящихся на них персональных данных;

были или могут быть персонализированы для использования при совершении публичных или коммерческих сделок либо для идентификации личности; и

криптографические возможности которых недоступны пользователю

Техническое примечание. Персональные данные включают любую информацию, которая касается частного лица или организации, такую как сумма хранящихся денежных средств на счете и данные, необходимые для аутентификации;

2) специально разработанные или модифицированные считывающие или записывающие устройства, которые применяются только для изделий, определенных в подпункте 1 пункта "а" примечания 2 к пункту 5.1.2.1

Техническое примечание. Считывающие или записывающие устройства включают оборудование, поддерживающее связь со смарт-картами или электронно-считываемыми документами через сеть;

б) криптографическому оборудованию, специально разработанному и применяющемуся только для банковских или финансовых операций

Техническое примечание. Финансовые операции, указанные в пункте "б" примечания 2 к пункту 5.1.2.1, включают в себя сборы и плату за транспортные услуги или кредитование;

в) портативным или мобильным радиотелефонам гражданского назначения (например, используемым в системах сотовой радиосвязи гражданского назначения), не обладающим техническими возможностями передачи зашифрованных данных непосредственно на другой радиотелефон или оборудование, отличное от оборудования беспроводной сети с радиодоступом (RAN), а также возможностями пересылки зашифрованных данных через оборудование RAN (например, через сетевой контроллер сотовой связи (RNC) или контроллер базовых станций (BSC); г) беспроводному телефонному оборудованию, не обладающему технической возможностью сквозного шифрования, с максимальной эффективной дальностью беспроводной связи (односкачковой, без ретрансляции между терминалом и базовой станцией) без усиления менее 400 м согласно спецификациям производителя;

д) портативным или мобильным радиотелефонам и аналогичным пользовательским беспроводным устройствам гражданского назначения, использующим только общедоступные или коммерческие криптографические стандарты (за исключением антипиратских функций, которые могут быть недоступными), соответствующим условиям, указанным в подпунктах 2 - 4 пункта "а" криптографического примечания (примечание 2 к части 2 категории 5), и адаптированным для конкретного применения в гражданской сфере, со свойствами, не влияющими на криптографические возможности исходных неадаптированных устройств;

е) изделиям, в которых функция защиты информации ограничена функциями беспроводной персональной сети и которые используют только общедоступные или коммерческие криптографические стандарты; ж) оборудованию мобильных сетей связи с радиодоступом (RAN), разработанному для гражданского применения, соответствующему условиям, указанным в пункте "а" криптографического примечания (примечание 2 к части 2 категории 5), имеющему выходную радиочастотную мощность, ограниченную 0,1 Вт (20 дБм) или менее, и поддерживающему 16 параллельных пользователей или менее;

з) маршрутизаторам, коммутаторам, шлюзам или реле, обладающим средствами криптографической защиты, функционально ограниченным задачами эксплуатации, администрирования или технического обслуживания (ОАМ) и использующим только общедоступные или коммерческие криптографические стандарты;

и) компьютерной технике общего назначения или серверам, средства криптографической защиты которых отвечают всем следующим условиям: 1) используют только открытые или коммерческие криптографические стандарты; и

2) соответствуют любому из следующего:

являются неотъемлемой частью центрального процессора (CPU), соответствующего условиям, указанным в криптографическом примечании (примечание 2 к части 2 категории 5);

являются неотъемлемой частью операционной системы, не указанной в пункте 5.4.2; или

ограничены выполнением функций технического обслуживания (ОАМ); или

к) оборудованию, специально разработанному для применения в гражданской промышленности и соответствующему всему следующему:

1) является любым из нижеперечисленного:

оконечными устройствами с сетевыми возможностями, соответствующими любой из следующих характеристик:

функция защиты информации ограничена защитой непроизвольно выбранных данных или задачами эксплуатации, администрирования или технического обслуживания (ОАМ); или

ограничена конкретным применением в гражданской промышленности; или

сетевым оборудованием, соответствующим всему нижеперечисленному:

является специально разработанным для использования с оконечными устройствами с сетевыми возможностями и указанными выше характеристиками; и

функция защиты информации ограничена поддержкой применения в гражданской промышленности оконечных устройств с сетевыми возможностями и указанными выше характеристиками или задачами ОАМ данного сетевого оборудования или других устройств, указанных в пункте "к" примечания 2 к пункту 5.1.2.1; и

2) функция защиты информации предполагает использование только общедоступных или коммерческих криптографических стандартов, а средства криптографической защиты не могут быть легко изменены пользователем

Технические примечания: 1. Применение в гражданской промышленности - подключенный к сети потребитель или любой способ применения в гражданской промышленности или потребителями, отличный от защиты информации, цифровой связи, сетей общего назначения или от обработки данных.

2. Непроизвольно выбранные данные - данные датчиков или измерений, которые напрямую связаны со стабильностью, производительностью или измерением физических характеристик системы (например, температура, давление, скорость потока, масса, объем, напряжение, физическое местоположение и др.) и не могут быть изменены пользователем устройства;

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 16.03.2024 № 308)

5.1.2.2. Являющиеся ключом (устройством) криптографической активации 8471; 8541 59 000 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0

Техническое примечание. Ключ (устройство) криптографической активации - изделие, разработанное или модифицированное для любого из следующего:

а) преобразования посредством криптографической активации изделия (продукта), не указанного в части 2 категории 5, в другое изделие (продукт), которое подпадает под действие пункта 5.1.2.1 или подпункта "а" пункта 5.4.2.3, с учетом криптографического примечания (примечание 3 к части 2 категории 5); или

б) придания посредством криптографической активации дополнительных функций, указанных в пункте 5.1.2.1, изделию (продукту), указанному в части 2 категории 5;

5.1.2.3. Разработанные или модифицированные для использования или выполнения квантовой криптографии 8471; 8541 59 000 0

Техническое примечание. Квантовая криптография также известна как квантовое распределение ключей (КРК);

5.1.2.4. Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов генерирования каналообразующих кодов, кодов шифрования или кодов идентификации сети для систем, использующих технику сверхширокополосной модуляции, и имеющие любую из следующих характеристик: а) ширину полосы частот, превышающую 500 МГц; или б) относительную ширину полосы частот 20 процентов или более; 8471; 8541 59 000 0

5.1.2.5. Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов генерации кода распределения частот для систем с расширенным спектром частот, не определенных в пункте 5.1.2.4, включающих код скачкообразной перестройки частоты для систем со скачкообразной перестройкой частоты 8471; 8541 59 000 0

Некриптографическая защита информации

5.1.3. Системы, оборудование и компоненты для некриптографической защиты информации:

5.1.3.1. Кабельные системы связи, разработанные или модифицированные для использования механических, электрических или электронных средств обнаружения несанкционированного доступа 8471; 8517 61 000 1; 8517 62 000; 8541 59 000 0

Примечание. Пункт 5.1.3.1 применяется только к физическому уровню защиты. Для целей пункта 5.1.3.1 физический уровень защиты включает первый уровень модели взаимодействия открытых систем (ВОС) (стандарт ISO/IEC 7498-1);

5.1.3.2. Специально разработанные или модифицированные для снижения утечки несущих информацию сигналов, кроме необходимых для защиты здоровья, безопасности или соблюдения установленных стандартов электромагнитной совместимости 8471; 8541 59 000 0

Взлом, снижение криптографической стойкости или обход средств защиты информации

5.1.4. Системы, оборудование и компоненты для взлома, снижения криптографической стойкости или обхода средств защиты информации:

5.1.4.1. Разработанные или модифицированные для выполнения криптоаналитических функций 8471; 8541 59 000 0

Примечание. Пункт 5.1.3.1 включает в себя системы либо оборудование, разработанные или модифицированные для выполнения криптоаналитических функций, определяемых путем анализа содержания программного продукта

Техническое примечание. Криптоаналитические функции - это функции, разработанные для взлома криптографического механизма в целях извлечения конфиденциальных, переменных или чувствительных данных, включая нешифрованный текст, пароли или криптографические ключи;

5.1.4.2. Изделия, иные чем указаны в пункте 4.1.4 или 5.1.3.1, разработанные для выполнения всего следующего: 8471; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0;

а) извлечения необработанных данных из вычислительных или коммуникационных устройств; и

б) обхода процедур аутентификации или авторизации, используемых устройствами для выполнения функции, указанной в подпункте "а" пункта 5.1.3.2

Техническое примечание. Извлечение необработанных данных из вычислительного или коммуникационного устройства означает получение данных в двоичном коде из носителя информации (например, оперативной памяти, флэш-диска или жесткого магнитного диска) устройства вне зависимости от его операционной или файловой системы

Примечания:

1. Пункт 5.1.3.2 не применяется к системам или оборудованию, специально предназначенным для разработки или производства вычислительного или коммуникационного устройства.

2. Пункт 5.1.3.2 не включает:

а) программы отладки, гипервизоры (программа управления операционными системами);

б) устройства, ограниченные извлечением логических данных;

в) изделия для извлечения логических данных, использующие технологию Chip-Off (извлечение микросхемы памяти из устройства, ее подготовка для снятия физического дампа памяти и последующее извлечение данных из этого дампа) или интерфейс JTAG (предназначен для подключения сложных цифровых микросхем или устройств уровня печатной платы к стандартной аппаратуре тестирования и отладки); или

г) изделия, специально предназначенные для джэйлбрейка или извлечения корневого каталога и ограниченные этими функциями

5.2.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование (испытательное, контрольное и производственное оборудование (аппаратура), применяемое для защиты информации и определенное ниже)

5.2.2.1. Оборудование, специально разработанное для разработки или производства оборудования (аппаратуры), определенного в пунктах 5.1.2 и 5.1.3 8541 59 000 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0; 9030 40 000 0

5.2.2.2. Измерительное оборудование, специально разработанное для оценки и подтверждения функций защиты информации оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.2 5.1.3, или программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.1.1 или 5.4.1.3 8541 59 000 0; 8542 31 300 0; 8542 32 300 0; 8542 33 300 0; 8542 39 300 0; 9030 40 000 0

5.3.2. Материалы - нет

5.4.2. Программное обеспечение

5.4.2.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения любого из следующего: а) оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.2, или программного обеспечения, определенного в подпункте "а" пункта 5.4.1.3; б) оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.3, или программного обеспечения, определенного в подпункте "б" пункта 5.4.1.3; или

в) оборудования (аппаратуры) или программного обеспечения:

оборудования, указанного в пункте 5.1.3.1, или программного обеспечения, указанного в абзаце втором подпункта "в" пункта 5.4.1.3;

оборудования, указанного в пункте 5.1.3.2, или программного обеспечения, указанного в абзаце третьем подпункта "в" пункта 5.4.1.3;

5.4.2.2. Программное обеспечение, имеющее характеристики ключа (устройства) криптографической активации, указанного в пункте 5.1.2.2

5.4.2.3. Программное обеспечение, моделирующее любое из следующего либо имеющее характеристики или выполняющее функции любого из следующего: а) оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.2.1, 5.1.2.3, 5.1.2.4 или 5.1.2.5

Примечание. Подпункт "а" пункта 5.4.1.3 не применяется к программному обеспечению, ограниченному задачами административного и эксплуатационно-технического обслуживания, включающему только общедоступные или коммерческие криптографические стандарты;

б) оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.3; или

в) оборудования:

указанного в пункте 5.1.3.1;

указанного в пункте 5.1.3.2

Примечание. Абзац третий подпункта "в" пункта 5.4.1.3 не применяется к программному обеспечению несанкционированного доступа в компьютерные сети

5.5.2. Технология

5.5.2.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения оборудования (аппаратуры), определенного в пунктах 5.1.2, 5.1.3, 5.1.4 или 5.2.2, или программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.1.1 или 5.4.1.3

Примечание.

Пункт 5.5.2.1 не применяется к технологиям изготовления изделий, указанных в пункте 5.1.4.2, или программному обеспечению, указанному в абзаце третьем подпункта "в" пункта 5.4.2.1 или абзаце третьем подпункта "в" пункта 5.4.2.3

5.5.2.2. Технологии, имеющие характеристики ключа (устройства) криптографической активации, указанного в пункте 5.1.2.2

Примечание. Пункт 5.5.2 включает информацию о технических данных, функциях и свойствах продукции, определенной в части 2 категории 5

Категория 6. Датчики и лазеры

6.1. Системы, оборудование и компоненты

6.1.1. Акустика (акустические системы, оборудование (аппаратура) и компоненты, определенные ниже)

6.1.1.1. Морские акустические системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:

6.1.1.1.1. Активные (передающие или приемо-передающие) системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:

6.1.1.1.1.1. Оборудование для акустической съемки морского дна:

6.1.1.1.1.1.1. Оборудование, разработанное для топографической (батиметрической) съемки морского дна с надводных судов и отвечающее всему следующему: 9015 80 910 0

а) разработанное для измерений под углом более 20 градусов к вертикали;

б) разработанное для измерения рельефа поверхности дна на морских глубинах, превышающих 600 м;

в) имеющее разрешение промера менее 2; и

Техническое примечание. Разрешение промера - отношение ширины полосы обзора [градусы] к максимальному числу промеров в полосе обзора

г) имеющее повышение точности определения глубины путем комплексной компенсации всего следующего: колебаний акустического датчика; распространения сигнала в воде от датчика к морскому дну и обратно; и скорости звука в месте расположения датчика

Техническое примечание. Повышение точности включает возможность компенсации внешними средствами;

6.1.1.1.1.1.2. Оборудование, разработанное для подводной топографической (батиметрической) съемки морского дна и имеющее любое из следующего: 9014 80 000 0; 9015 80 910 0

Техническое примечание. Уровень давления, показываемый акустическим датчиком, определяет глубину погружения оборудования, определенного в пункте 6.1.1.1.1.1.2

а) имеющее все следующее: разработанное или модифицированное для эксплуатации на глубинах, превышающих 300 м; и скорость промеров выше 3800 м/с; или

Техническое примечание. Скорость промеров - произведение максимальной скорости [м/с], на которой датчик может работать, и максимального числа промеров в рабочей полосе при условии стопроцентного покрытия. Для систем, производящих промеры в двух направлениях (3D-сонары), должна использоваться максимальная скорость промеров в любом направлении;

б) не определенное в пункте 6.1.1.1.1.1.2 и имеющее все следующее: разработанное или модифицированное для эксплуатации на глубинах, превышающих 100 м; разработанное для измерения под углом более 20 град. к вертикали; имеющее любое из следующего: рабочую частоту ниже 350 кГц; или разработанное для топографической (батиметрической) съемки морского дна в диапазоне, превышающем 200 м от акустического датчика; и повышение точности определения глубины путем компенсации всего следующего: колебаний акустического датчика; распространения сигнала в воде от датчика к морскому дну и обратно; и скорости звука в месте расположения датчика

6.1.1.1.1.1.3. Гидролокаторы бокового обзора (ГБО) и гидролокаторы с синтезированной апертурой (ГСА), разработанные для визуального отображения рельефа морского дна и отвечающие всему следующему, а также специально разработанные передающие и принимающие решетки для них: 9014 80 000 0; 9015 80 910 0

а) разработанные или модифицированные для эксплуатации на глубинах, превышающих 500 м;

б) имеющие скорость охвата площади выше 570 м2/с при эксплуатации на максимальной рабочей дальности с разрешением вдоль траектории движения менее 15 см; и

в) имеющие разрешение поперек траектории движения менее 15 см

Технические примечания:

1. Скорость охвата площади [м2/с] - удвоенное произведение дальности гидролокации [м] на максимальную рабочую скорость гидролокатора [м/с] при такой дальности.

2. Разрешение вдоль траектории движения [см], применяемое только к ГБО, - произведение ширины азимутального (горизонтального) диапазона [градусы] на дальность гидролокации [м] и на 0,873.

3. Разрешение поперек траектории движения [см] - отношение 75 к ширине частотного диапазона сигнала [кГц];

6.1.1.1.1.2. Системы или передающие и приемные антенные решетки, разработанные для обнаружения или определения местоположения, имеющие любую из следующих характеристик: 9014 80 000 0; 9015 80 910 0

а) частоту передачи ниже 10 кГц;

б) уровень звукового давления выше 224 дБ (опорного давления 1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне от 10 кГц до 24 кГц включительно;

в) уровень звукового давления выше 235 дБ (опорного давления 1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне между 24 кГц и 30 кГц;

г) формирование лучей уже 1 градуса по любой оси и рабочую частоту ниже 100 кГц;

д) разработанные для абсолютно надежного обнаружения целей с дальностью более 5120 м с отображением их на дисплее; или

е) разработанные для выдерживания давления при нормальной эксплуатации на глубинах, превышающих 1000 м, и имеющие преобразователи с любым из следующего: динамической компенсацией давления; или содержащие преобразующие элементы, изготовленные не из титаната-цирконата свинца

Особое примечание. В отношении активных систем обнаружения или определения местоположения, указанных в пункте 6.1.1.1.1.2, см. также пункт 6.1.1.1.1.1 раздела 2 и пункт 6.1.1.1.1 раздела 3;

6.1.1.1.1.3. Акустические излучатели (включая преобразователи), объединяющие пьезоэлектрические, магнитострикционные, электрострикционные, электродинамические или гидравлические элементы, функционирующие независимо или в комбинации, имеющие любую из следующих характеристик: 9014 80 000 0; 9015 80 910 0

Примечания: 1. Контрольный статус акустических излучателей (включая преобразователи), специально разработанных для оборудования, не определенного в пункте 6.1.1, определяется контрольным статусом этого оборудования. 2. Пункт 6.1.1.1.1.3 не применяется к электронным источникам, распространяющим акустическое излучение только в вертикальной плоскости, механическим источникам (пневматическим или паровым) и химическим (взрывным) источникам.

3. Пьезоэлектрические элементы, указанные в пункте 6.1.1.1.1.3, в том числе пьезоэлектрические элементы, выполненные из магнониобата-титаната свинца (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, PMN-PT), выращенные из твердого раствора, или из индий-ниобата магнониобата-титаната свинца (Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, PIN-PMN-PT), выращенные из твердого раствора

а) работающие на частотах ниже 10 кГц и имеющие любое из следующего: не предназначенные для непрерывной работы при стопроцентном нагрузочном цикле и имеющие уровень акустической мощности источника (SLRMS) в свободном звуковом поле, превышающий (10 Log(f) + 169,77) дБ (относительно 1 мкПа на расстоянии 1 м от источника излучения), где f - частота в герцах при максимальном коэффициенте передачи по напряжению (TVR) в частотном диапазоне ниже 10 кГц; или предназначенные для непрерывной работы при стопроцентном нагрузочном цикле и имеющие источник с уровнем мощности непрерывного излучения (SLRMS) в свободном звуковом поле, превышающим (10 Log(f) + 159,77) дБ (относительно 1 мкПа на расстоянии 1 м от источника излучения), где f - частота в герцах (в частотном диапазоне ниже 10 кГц) при максимальном коэффициенте передачи по напряжению (TVR)

Особое примечание. Для изделий, ранее определенных в подпункте "б" пункта 6.1.1.1.1.3, см. подпункт "а" пункта 6.1.1.1.1.3

Техническое примечание. Уровень акустической мощности источника в свободном звуковом поле (SLRMS) определяется по максимуму излучения на акустической оси в дальнем поле акустического излучателя. Его величина может быть определена при известном TVR по формуле: SLRMS = (TVR + 20log VRMS) дБ (относительно 1 мкПа на расстоянии 1 м от источника излучения), где SLRMS - уровень акустической мощности источника излучения, TVR - коэффициент передачи по напряжению, а VRMS - напряжение запускающего сигнала акустического излучателя;

б) обеспечивающие подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 22 дБ;

6.1.1.1.1.4. Акустические системы и оборудование, разработанные для определения положения надводных судов или подводных аппаратов и имеющие все нижеперечисленные характеристики, а также специально разработанные для них компоненты: 9014 80 000 0; 9015 80 110 0

а) дальность обнаружения, превышающую 1000 м; и

б) среднеквадратичное значение величины определенного отклонения положения меньше (лучше) 10 м, измеренного на дальности (расстоянии) 1000 м

Примечание. Пункт 6.1.1.1.1.4 включает:

а) оборудование, использующее согласованную обработку сигналов между двумя или более буями и гидрофонным устройством на надводном судне или подводном аппарате;

б) оборудование, обладающее способностью автокоррекции накапливающейся погрешности скорости звука для вычислений местоположения;

6.1.1.1.1.5. Активные индивидуальные гидролокационные системы, а также передающие и принимающие акустические решетки для них, специально разработанные или модифицированные для невоенного применения в целях обнаружения, определения местоположения и автоматической классификации пловцов или водолазов (аквалангистов) и имеющие все следующие характеристики: 8907 90 000 9; 9014 80 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 910 0; 9015 80 930 0

а) дальность обнаружения более 530 м;

б) среднеквадратичное значение величины определенного отклонения положения меньше (лучше) 15 м, измеренного на дальности (расстоянии) 530 м; и

в) полосу пропускания передаваемого импульсного сигнала более 3 кГц

Примечание. Для целей пункта 6.1.1.1.1.5 при разнообразных дальностях обнаружения, определенных для различных внешних условий, используется наибольшая дальность обнаружения

Примечание. Пункт 6.1.1.1.1 не применяется к следующему оборудованию:

а) эхолотам, работающим вертикально, не включающим функцию сканирования в диапазоне более ± 20 градусов и ограниченным измерением глубины воды, расстояния до погруженных в нее или затопленных объектов или промысловой разведкой;

б) следующим акустическим буям: аварийным акустическим маякам; акустическим буям с дистанционным управлением, специально разработанным для перемещения или возвращения в подводное положение;

6.1.1.1.2. Пассивные системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:

6.1.1.1.2.1. Гидрофоны с любой из следующих характеристик:

а) включающие непрерывные гибкие чувствительные элементы; 9014 80 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0

б) включающие гибкие сборки дискретных чувствительных элементов с диаметром или длиной менее 20 мм и с расстоянием между элементами менее 20 мм; 9014 80 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0

в) имеющие любые из следующих чувствительных элементов: волоконно-оптические; пьезоэлектрические из полимерных пленок, отличные от поливинилиденфторида (PVDF) и его сополимеров {P(VDF-TrFE) и P(VDF-TFE)} ({поли(винилиденфторид-трифторэтилен) и поли(винилиденфторид-тетрафторэтилен)}); гибкие пьезоэлектрические из композиционных материалов; пьезоэлектрические монокристаллы из ниобата свинца-магния/титаната свинца (например, Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 или PMN-PT), выращенные из твердого раствора; или пьезоэлектрические монокристаллы из ниобата свинца-индия/ниобата свинца-магния/титаната свинца (например, Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 или PIN-PMN-PT), выращенные из твердого раствора 9014 80 000 0; 9015 80 930 0

Технические примечания:

1. Пьезоэлектрические чувствительные элементы из полимерной пленки состоят из поляризованной полимерной пленки, которая натянута на несущую конструкцию или катушку и прикреплена к ним.

2. Гибкие пьезоэлектрические чувствительные элементы из композиционных материалов содержат пьезоэлектрические керамические частицы или волокна, объединенные между собой электроизоляционной акустически прозрачной резиной, полимерным или эпоксидным связующим, которые являются неотъемлемой частью чувствительных элементов;

г) имеющие гидрофонную чувствительность лучше -180 дБ на любой глубине без компенсации ускорения 9014 80 000 0; 9015 80 930 0

Техническое примечание. Гидрофонная чувствительность определяется как 20-кратный десятичный логарифм отношения эффективного выходного напряжения к эффективной величине нормирующего напряжения 1 В, когда гидрофонный датчик без предусилителя помещен в акустическое поле плоской волны с эффективным давлением 1 мкПа. Например: гидрофон с -160 дБ (нормирующее напряжение 1 В на мкПа) даст выходное напряжение 10-8 В в таком поле, в то время как гидрофон с чувствительностью -180 дБ даст только 10-9 В на выходе. Таким образом, -160 дБ лучше, чем -180 дБ;

д) разработанные для эксплуатации на глубинах, превышающих 35 м, с компенсацией ускорения; или 9014 80 000 0; 9015 80 930 0

е) разработанные для эксплуатации на глубинах, превышающих 1000 м, и имеющие гидрофонную чувствительность лучше -230 дБ при частоте ниже 4 кГц 9014 80 000 0; 9015 80 930 0

Примечание. Контрольный статус гидрофонов, специально разработанных для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого оборудования

Технические примечания: 1. Гидрофоны состоят из одного или более чувствительных элементов, образующих единый акустический выходной канал. Гидрофоны, которые включают множество элементов, могут называться гидрофонной группой.

2. Для целей пункта 6.1.1.1.2.1 гидроакустические датчики, разработанные для функционирования в качестве пассивных приемных устройств, являются гидрофонами;

6.1.1.1.2.2. Буксируемые акустические гидрофонные решетки, имеющие любое из следующего: 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0

а) гидрофонные группы, расположенные с шагом менее 12,5 м или имеющие возможность модификации для расположения гидрофонных групп с шагом менее 12,5 м;

б) разработанные или имеющие возможность модификации для работы на глубинах, превышающих 35 м

Техническое примечание. Возможность модификации, указанная в подпунктах "а" и "б" пункта 6.1.1.1.2.2, означает наличие резерва, позволяющего изменять схему соединений или внутренних связей для усовершенствования гидрофонной группы по ее размещению или изменению пределов рабочей глубины. Таким резервом является возможность монтажа: запасных проводников в количестве, превышающем 10 процентов от числа рабочих проводников связи; блоков настройки конфигурации гидрофонной группы или внутренних устройств, ограничивающих глубину погружения, что обеспечивает регулировку или контроль более чем одной гидрофонной группы;

в) датчики направленного действия, определенные в пункте 6.1.1.1.2.4;

г) продольно армированные рукава решетки;

д) собранные решетки диаметром менее 40 мм; или

е) гидрофоны с характеристиками, определенными в пункте 6.1.1.1.2.1; или

ж) гидроакустические датчики на основе акселерометров, определенные в пункте 6.1.1.1.2.7

Техническое примечание. Гидрофонные решетки состоят из нескольких гидрофонов, формирующих многочисленные акустические выходные каналы;

6.1.1.1.2.3. Аппаратура обработки данных, специально разработанная для применения в буксируемых акустических гидрофонных решетках, обладающая программируемостью пользователем, обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований или процессов; 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0

6.1.1.1.2.4. Датчики направленного действия, имеющие все следующие характеристики: 9014 80 000 0; 8524 11 004 4; 8524 12 004 4; 8524 19 004 4; 8524 91 004 4; 8524 92 004 4; 8524 99 004 4; 8529 90 104 4; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0

а) точность лучше 0,5 градуса; и

б) разработанные для работы на глубинах, превышающих 35 м, либо имеющие регулируемое или сменное чувствительное устройство измерения глубины, разработанное для работы на глубинах, превышающих 35 м;

Особое примечание. Для инерциальных систем направленного действия см. также пункт 7.1.3.3;

6.1.1.1.2.5. Донные или погруженные кабельные гидрофонные решетки, имеющие любую из следующих составляющих: 8907 90 000 9; 9014 80 000 0; 9014 90 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0

а) объединяющие гидрофоны, определенные в пункте 6.1.1.1.2.1;

б) объединяющие сигнальные модули многоэлементной гидрофонной группы, имеющие все следующие характеристики: разработанные для работы на глубинах, превышающих 35 м, либо обладающие регулируемым или сменным чувствительным устройством измерения глубины для работы на глубинах, превышающих 35 м; и обладающие возможностью оперативного взаимодействия с модулями буксируемых акустических гидрофонных решеток; или

в) объединяющие гидроакустические датчики на основе акселерометров, определенные в пункте 6.1.1.1.2.7;

6.1.1.1.2.6. Аппаратура обработки данных, специально разработанная для систем донных кабельных антенн или кос, обладающая программируемостью пользователем, обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование диаграммы направленности, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований либо процессов 8907 90 000 9; 9014 80 000 0; 9014 90 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0

Примечание. Пункт 6.1.1.1.2 также применяется к приемному оборудованию и специально разработанным для него компонентам, независимо от того, относится ли оно при штатном применении к самостоятельному активному оборудованию или нет

Особое примечание. В отношении пассивных систем, оборудования и специальных компонентов, указанных в пунктах 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6, см. также пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6 раздела 2 и пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.5 раздела 3

6.1.1.1.2.7. Гидроакустические датчики на основе акселерометров, имеющие все следующее: 9014 20; 9014 80 000 0

а) состоящие из трех акселерометров, расположенных вдоль отдельных осей;

б) имеющие предельную чувствительность к ускорению лучше 48 дБ (эффективная величина нормирующего напряжения 1000 мВ на 1 g);

в) разработанные для работы на глубинах более 35 метров; и

г) рабочую частоту ниже 20 кГц

Примечание. Пункт 6.1.1.1.2.7 не применяется к датчикам скорости частиц или геофонам (сейсмографам)

Технические примечания:

1. Гидроакустическими датчиками на основе акселерометров также называются векторные датчики.

2. Чувствительность к ускорению определяется как 20-кратный десятичный логарифм отношения среднеквадратического выходного напряжения датчика к среднеквадратическому единичному (1 вольт) эталонному напряжению при условии, когда гидроакустический датчик без предварительного усилителя помещен в плоскость волны акустического поля со среднеквадратическим ускорением, равным 1 g (то есть 9,81 м/с2)

6.1.1.2. Аппаратура гидролокационного корреляционного и доплеровского лагов, разработанная для измерения горизонтальной составляющей скорости носителя аппаратуры относительно морского дна:

6.1.1.2.1. Аппаратура гидролокационного корреляционного лага, имеющая любую из следующих характеристик: 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0

а) разработанная для эксплуатации на расстоянии между ее носителем и дном моря более 500 м; или

б) имеющая точность определения скорости лучше (меньше) 1 процента;

6.1.1.2.2. Аппаратура гидролокационного доплеровского лага, имеющая точность определения скорости лучше (меньше) 1 процента 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0

Примечания:

1. Пункт 6.1.1.2 не применяется к эхолотам, ограниченным любым из следующего:

а) измерением глубины;

б) измерением расстояния от погруженных под воду или затопленных объектов; или

в) промысловой разведкой.

2. Пункт 6.1.1.2 не применяется к аппаратуре, специально разработанной для установки на надводные суда

Особое примечание. Для акустических систем отпугивания водолазов (аквалангистов) см. пункт 8.1.2.6

6.1.2. Оптические датчики, приборы и компоненты для них

6.1.2.1. Приемники оптического излучения:

6.1.2.1.1. Следующие твердотельные приемники оптического излучения, пригодные для применения в космосе:

Примечание. Для целей пункта 6.1.2.1.1 твердотельные приемники оптического излучения включают фокальные матричные приемники

6.1.2.1.1.1. Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие все следующие характеристики: 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 10 нм до 300 нм; и

б) чувствительность менее 0,1 процента относительно максимального значения для длин волн, превышающих 400 нм;

6.1.2.1.1.2. Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие все следующие характеристики: 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 900 нм до 1200 нм; и

б) постоянную времени отклика приемника 95 нс или менее

Особое примечание. В отношении твердотельных приемников оптического излучения, указанных в пунктах 6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2, см. также пункты 6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2 раздела 2;

6.1.2.1.1.3. Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

Особое примечание. В отношении твердотельных приемников оптического излучения, указанных в пункте 6.1.2.1.1.3, см. также пункт 6.1.2.1.1.3 раздела 2 и пункт 6.1.2.1 раздела 3;

6.1.2.1.1.4. Фокальные матричные приемники, пригодные для применения в космосе, имеющие в матрице более 2048 элементов и максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

Особое примечание. В отношении фокальных матричных приемников, указанных в пункте 6.1.2.1.1.4, см. также пункт 6.1.2.1.1.4 раздела 2;

6.1.2.1.2. Следующие электронно-оптические преобразователи (ЭОП) и специально разработанные для них компоненты:

Примечание. Пункт 6.1.2.1.2 не применяется к фотоэлектронным умножителям (ФЭУ) без формирования изображений, имеющим электронно-чувствительное устройство в вакууме, ограниченным исключительно любым из следующего:

а) единственным металлическим анодом; или

б) металлическими анодами с межцентровым расстоянием более 500 мкм

Техническое примечание. "Зарядовое умножение" является формой электронного усиления изображения и характеризуется созданием носителей зарядов в результате процесса ударной ионизации. Приемниками оптического излучения с зарядовым умножением могут быть электронно-оптические преобразователи, твердотельные приемники оптического излучения или фокальные матричные приемники

6.1.2.1.2.1. Электронно-оптические преобразователи, имеющие все нижеперечисленное: 8540 20 800 0

а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм;

б) электронное усиление изображения, использующее любое из следующего: микроканальную пластину с расстоянием между центрами каналов (межцентровым расстоянием) 12 мкм или менее; или электронный чувствительный элемент с шагом небинированных пикселей 500 мкм или менее, специально разработанный или модифицированный для достижения зарядового умножения иначе, чем в микроканальной пластине; и

в) любые из следующих фотокатодов:

многощелочные фотокатоды (например, S-20, S-25) с интегральной чувствительностью более 350 мкА/лм; GaAs или GaInAs фотокатоды; или другие полупроводниковые фотокатоды на основе соединений III - V с максимальной спектральной чувствительностью более 10 мА/Вт;

6.1.2.1.2.2. Электронно-оптические преобразователи, имеющие все нижеперечисленное: 8540 20 800 0

а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1800 нм;

б) электронное усиление изображения, использующее любое из следующего: микроканальную пластину с расстоянием между центрами каналов (межцентровым расстоянием) 12 мкм или менее; или электронный чувствительный элемент с шагом небинированных пикселей 500 мкм или менее, специально разработанный или модифицированный для достижения зарядового умножения иначе, чем в микроканальной пластине; и

в) полупроводниковые фотокатоды на основе соединений III - V (например, GaAs или GaInAs) и фотокатоды на эффекте переноса электронов с максимальной спектральной чувствительностью более 15 мА/Вт

Особое примечание. В отношении электронно-оптических преобразователей, указанных в пунктах 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2, см. также пункты 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2 раздела 2;

6.1.2.1.2.3. Нижеперечисленные специально разработанные компоненты:

6.1.2.1.2.3.1. Микроканальные пластины с расстоянием между центрами каналов (межцентровым расстоянием) 12 мкм или менее; 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

6.1.2.1.2.3.2. Электронный чувствительный элемент с шагом небинированных пикселей 500 мкм или менее, специально разработанный или модифицированный для достижения зарядового умножения иначе, чем в микроканальной пластине; 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

6.1.2.1.2.3.3. Полупроводниковые фотокатоды на соединениях III - V (например, GaAs или GaInAs) и фотокатоды на эффекте переноса электронов 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

Примечание. Пункт 6.1.2.1.2.3.3 не применяется к полупроводниковым фотокатодам, разработанным для достижения любого из нижеприведенных значений максимальной спектральной чувствительности:

а) 10 мА/Вт или менее при максимуме спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм; или

б) 15 мА/Вт или менее при максимуме спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1800 нм;

6.1.2.1.3. Следующие фокальные матричные приемники, непригодные для применения в космосе:

Техническое примечание. Линейные или двухмерные многоэлементные матричные приемники оптического излучения называются фокальными матричными приемниками

6.1.2.1.3.1. Фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное: 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

а) отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 900 нм до 1050 нм; и

б) любую из следующих характеристик: постоянную времени отклика приемника менее 0,5 нс; или являющиеся специально разработанными или модифицированными для достижения зарядового умножения и имеющие максимальную спектральную чувствительность, превышающую 10 мА/Вт;

6.1.2.1.3.2. Фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное: 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

а) отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1200 нм; и

б) любую из следующих характеристик: постоянную времени отклика приемника 95 нс или менее; или являющиеся специально разработанными или модифицированными для достижения зарядового умножения и имеющие максимальную спектральную чувствительность, превышающую 10 мА/Вт;

6.1.2.1.3.3.

Нелинейные (двухмерные) фокальные матричные приемники, имеющие отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30000 нм 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

Особое примечание. Микроболометрические фокальные матричные приемники, непригодные для применения в космосе, на основе кремния и другого материала определяются только по пункту 6.1.2.1.3.6;

6.1.2.1.3.4. Линейные (одномерные) фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное: 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

а) отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 3000 нм; и

б) любую из следующих характеристик: отношение размера элемента приемника в направлении сканирования к размеру элемента приемника в направлении поперек сканирования менее 3,8; или обработку сигналов в элементе приемника

Техническое примечание. Для целей подпункта "б" пункта 6.1.2.1.3.4 "направление поперек сканирования" определяется как направление вдоль оси, параллельной линейке элементов приемника, а "направление сканирования" определяется как направление вдоль оси, перпендикулярной линейке элементов приемника

Примечание. Пункт 6.1.2.1.3.4 не применяется к фокальным матричным приемникам на основе германия, содержащим не более 32 детекторных элементов;

6.1.2.1.3.5. Линейные (одномерные) фокальные матричные приемники, имеющие отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 3000 нм до 30000 нм; 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

6.1.2.1.3.6. Нелинейные (двухмерные) инфракрасные фокальные матричные приемники на основе микроболометрического материала, для отдельных элементов которых не применяется спектральная фильтрация чувствительности в диапазоне длин волн от 8000 нм до 14000 нм 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

Техническое примечание. Для целей пункта 6.1.2.1.3.6 микроболометр определяется как тепловой приемник инфракрасного излучения, у которого формирование соответствующего выходного сигнала происходит за счет изменения температуры приемника при поглощении инфракрасного излучения;

6.1.2.1.3.7. Фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное: 8541 42 000 0 8541 43 000 0 8541 49 000 0

а) отдельные элементы приемника с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 900 нм;

б) являющиеся специально разработанными или модифицированными для достижения зарядового умножения и имеющие в спектральном диапазоне, превышающем 760 нм, максимальную спектральную чувствительность выше 10 мА/Вт; и

в) более 32 элементов

Примечания: 1. Пункт 6.1.2.1.3 включает фоторезистивные и фотовольтаические матрицы.

2. Пункт 6.1.2.1.3 не применяется:

а) к многоэлементным приемникам (с числом элементов не более 16) с фоточувствительными элементами из сульфида или селенида свинца (PbS или PbSe соответственно);

б) к пироэлектрическим приемникам на основе любого из следующих материалов: триглицинсульфата и его производных; титаната свинца-лантана-циркония (PLZT керамики) и его производных; танталата лития (LiTaO3); поливинилиденфторида и его производных; или ниобата бария-стронция (BaStNbO3) и его производных;

в) к фокальным матричным приемникам, специально разработанным или модифицированным для реализации зарядового умножения, имеющим ограниченное конструкцией значение максимальной спектральной чувствительности 10 мА/Вт или менее для длин волн, превышающих 760 нм, и имеющим все нижеперечисленное:

1) включенный в их конструкцию механизм ограничения чувствительности без возможности его удаления или модификации; и

2) любое из следующего: механизм ограничения чувствительности, являющийся неотъемлемой частью конструкции приемника; или фокальный матричный приемник, действующий только вместе с установленным механизмом ограничения чувствительности

г) к термоэлектрическим приемникам, имеющим менее 5130 элементов

Техническое примечание. Механизм ограничения чувствительности приемника является неотъемлемой частью конструкции приемника и разработан с отсутствием возможности его удаления или модификации без приведения приемника в нерабочее состояние

Особые примечания:

1. Микроболометрические фокальные матричные приемники, непригодные для применения в космосе, определяются только по пункту 6.1.2.1.3.6.

2. В отношении фокальных матричных приемников, указанных в пункте 6.1.2.1.3, см. также пункт 6.1.2.1.3 раздела 2

6.1.2.2. Моноспектральные датчики изображения и многоспектральные датчики изображения, разработанные для применения при дистанционном зондировании и имеющие любое из следующего: 8540 89 000 0

а) мгновенное угловое поле (МУП) менее 200 мкрад; или

Примечание. Подпункт "а" пункта 6.1.2.2 не применяется к моноспектральным датчикам изображения с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм и включающим только любые из следующих приемников оптического излучения, непригодных для применения в космосе, или фокальных матричных приемников, непригодных для применения в космосе: приборы с зарядовой связью (ПЗС), не разработанные или не модифицированные для достижения зарядового умножения; или приборы на основе комплементарной структуры металл-оксид-проводник (МОП-структуры), не разработанные или не модифицированные для достижения зарядового умножения

б) разработанные для функционирования в диапазоне длин волн от 400 нм до 30000 нм и имеющие все нижеперечисленное:

1) обеспечивающие выходные данные изображения в цифровом формате; и

2) имеющие любую из следующих характеристик: пригодные для применения в космосе; или разработанные для функционирования на борту летательного аппарата, использующие приемники, изготовленные не из кремния, и имеющие МУП менее 2,5 мрад

Особое примечание. В отношении многоспектральных датчиков изображения, указанных в пункте 6.1.2.2, см. также пункт 6.1.2.2 раздела 2

6.1.2.3. Приборы прямого наблюдения изображения, содержащие любое из следующего:

6.1.2.3.1. Электронно-оптические преобразователи, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.2.1 или 6.1.2.1.2.2; 8540 20 800 0; 8540 99 000 0; 9005

6.1.2.3.2. Фокальные матричные приемники, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.3; или 8540 99 000 0; 9005

6.1.2.3.3. Твердотельные приемники оптического излучения, определенные в пункте 6.1.2.1.1 8540 99 000 0; 9005

Техническое примечание. Под приборами прямого наблюдения изображения понимаются приборы для получения человеком-наблюдателем визуального изображения без преобразования его в электронный сигнал для телевизионного дисплея и без возможности записи или сохранения этого изображения фотографическим, электронным или другим способом

Примечание. Пункт 6.1.2.3 не применяется к следующим приборам, содержащим фотокатоды на основе материалов, отличных от GaAs или GaInAs:

а) промышленным или гражданским системам охранной сигнализации, управления движением транспорта, промышленного управления перемещением или счета;

б) медицинским приборам;

в) промышленным приборам, используемым для проверки, сортировки или анализа состояния материалов;

г) датчикам контроля пламени для промышленных печей;

д) приборам, специально разработанным для лабораторного использования

Особое примечание. В отношении приборов прямого наблюдения, указанных в пункте 6.1.2.3, см. также пункт 6.1.2.3 раздела 2

6.1.2.4. Специальные вспомогательные компоненты для оптических датчиков:

6.1.2.4.1. Криогенные охладители, пригодные для применения в космосе; 8418 69 000 8

6.1.2.4.2. Нижеперечисленные криогенные охладители, непригодные для применения в космосе, с температурой источника охлаждения ниже 218 K (-55°C):

6.1.2.4.2.1. Криогенные охладители с замкнутым циклом и с определенным техническими условиями средним временем наработки на отказ или средним временем наработки между отказами более 2500 ч; 8418 69 000 8

6.1.2.4.2.2.