Текст очень длинный, поэтому разбит на части. Часть 2 из 6.
2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:
монолитные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире";
оптические интегральные схемы;
трехмерные интегральные схемы;
монолитные микроволновые интегральные схемы;
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
3.1.1.2.
Изделия микроволнового или миллиметрового диапазона:
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.1.2.1.
Нижеперечисленные вакуумные электронные устройства и катоды:
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.1.1.2.1.1.
Вакуумные электронные устройства бегущей волны импульсного или непрерывного действия: (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода вакуумного электронного устройства на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
в) вакуумные электронные устройства с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
г) вакуумные электронные устройства, основанные на спирали, сложенном волноводе или извилистом волноводе, или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;
мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
пригодные для применения в космосе; или (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
имеющие электронную пушку с координатной привязкой; (Дополнение абзацем - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
д) вакуумные электронные устройства с относительной шириной полосы частот, равной 10% или более, имеющие любое из следующего:
кольцевой пучок электронов;
пучок электронов, несимметричный относительно оси; или
множественные пучки электронов;
(Дополнение подпунктом - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
8540 79 000 9
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.1.1.2.1.2.
Вакуумные электронные устройства магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ;
8540 71 000 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.1.1.2.1.3. Термоэлектронные катоды, разработанные для вакуумных электронных устройств, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/см2, или в импульсном (прерывающемся) режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 10 А/см2;
8540 99 000 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.1.1.2.1.4. Вакуумные электронные устройства с возможностью работы в двухканальном режиме
8540 99 000 0
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Техническое примечание.
Двухканальный режим означает, что вакуумное электронное устройство может переключаться между непрерывным и импульсным режимами работы через сеть и имеет пиковую выходную мощность больше, чем выходная мощность при непрерывном излучении
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Примечания:
1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к вакуумным электронным устройствам, разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
а) частота не превышает 31,8 ГГц; и
б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения.
2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к вакуумным электронным устройствам, непригодным для применения в космосе и имеющим все следующие характеристики: (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
а) среднюю выходную мощность, равную или меньше 50 Вт; и
б) разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:
частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и
диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714) (Техническое примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:
Особое примечание.
ММИС - усилители мощности, имеющие интегрированные фазовращатели, должны оцениваться в соответствии с пунктом 3.1.1.2.11 (Дополнение особым примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,6 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;
в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;
д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) для работы на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; или
з) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц
8542 31 300 0;
8542 31 901 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 33 900 0;
8542 39 300 0;
8542 39 901 0;
8543 90 000 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
Примечания:
1. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "з" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.
2. Пункты 1 и 2 примечаний к пункту 3.1 подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не применяется к ММИС, если они специально разработаны для применения, например, в телекоммуникациях, радиолокационных станциях, автомобилях;
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.1.1.2.3. Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:
а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 400 Вт (56 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 205 Вт (53,12 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 115 Вт (50,61 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,78 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 15 Вт (41,76 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 7 Вт (38,45 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;
в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;
г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 43,5 ГГц; или (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
е) отличные от указанных в подпунктах "а" - "д" настоящего пункта и определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 31,8 ГГц включительно
(Дополнение подпунктом - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
8541 21 000 0;
8541 29 000 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Примечания:
1. Контрольный статус транзисторов, определенных в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, приведенных в указанных подпунктах, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.
2. Пункт 3.1.1.2.3 включает как бескорпусные транзисторы, транзисторные сборки и модули, так и корпусные транзисторы. Некоторые дискретные транзисторы могут также называться усилителями мощности, но контрольный статус таких дискретных транзисторов определяется пунктом 3.1.1.2.3
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
Особое примечание.
В отношении монолитных микроволновых интегральных схем (ММИС) - усилителей мощности и дискретных сверхвысокочастотных транзисторов, определенных в пунктах 3.1.1.2.2 и 3.1.1.2.3, см. также пункты 3.1.2 и 3.1.3 раздела 2;
(Дополнение особым примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик:
а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие все следующее:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 500 Вт (57 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 270 Вт (54,3 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 200 Вт (53 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 90 Вт (49,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие все следующее:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 70 Вт (48,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 30 Вт (44,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;
в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;
г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 2 Вт (33 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,2 Вт (23 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (13 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
е) (Подпункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Техническое примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
8543 70 900 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Особые примечания:
1. Для оценки ММИС - усилителей мощности должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.2.
2. Для оценки приемо-передающего модуля должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.11.
3. В отношении преобразователей и смесителей на гармониках, разработанных для расширения частотного диапазона аппаратуры, см. пункт 3.1.1.2.6
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Примечание.
Контрольный статус устройств, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, которые указаны в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения;
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.1.1.2.5.
Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5 : 1 (fmax / fmin) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик:
а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или
б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты;
8543 70 900 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.1.1.2.6. Преобразователи и смесители на гармониках, удовлетворяющие любому из следующих условий:
а) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона анализаторов сигнала до уровня выше 90 ГГц;
б) разработанные для расширения следующих рабочих характеристик генераторов сигнала:
верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 90 ГГц;
выходной мощности до уровня более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43,5 ГГц до менее 90 ГГц;
в) разработанные для расширения рабочих характеристик схемных анализаторов (анализаторов цепей):
верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 110 ГГц;
выходной мощности до уровня более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43,5 ГГц до менее 90 ГГц;
выходной мощности до уровня более 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 90 ГГц до менее 110 ГГц; или
г) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона микроволновых приемников-тестеров до уровня выше 110 ГГц;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.1.2.7.
Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие вакуумные электронные устройства, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики:
а) рабочие частоты выше 3 ГГц;
б) среднюю выходную мощность по отношению к массе, превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 см3
8543 70 900 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 13.12.2018 № 714)
Примечание.
Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или определенной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
3.1.1.2.8.
Мощные СВЧ-модули, содержащие, по крайней мере,вакуумное электронное устройство бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики: (В редакции указов Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159, от 13.12.2018 № 714)
а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с;
б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 см3/Вт; и
в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы (fmax > 2fmin) и любое из следующего:
для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более 100 Вт; или
частоту выше 18 ГГц
8540 79 000 9;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0;
8543 90 000 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
Технические примечания:
1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности мощного СВЧ-модуля (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159).
2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема мощного СВЧ-модуля. (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как 20 [Вт] х 10 [см3/Вт] = 200 [см3]. Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом мощного СВЧ-модуля; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.1.2.9. Генераторы или генераторные сборки, определенные для работы с фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц меньше (лучше) -(126 + 20 log10F - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 Гц F 10 кГц
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 20 000 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Техническое примечание.
В пункте 3.1.1.2.9: F - отстройка от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц;
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.1.2.10. Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты, определенное любым из следующего:
а) менее 143 пс;
б) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;
в) менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;
г) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 37 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или
д) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот выше 90 ГГц
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 20 000 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.1.1.2.11. Приемо-передающие модули, приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, передающие модули и передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, предназначенные для работы на частотах выше 2,7 ГГц и имеющие все следующие характеристики:
а) пиковую выходную мощность в режиме насыщения (Вт), Psat, большую, чем результат деления величины 505,62 на максимальную рабочую частоту (ГГц) в квадрате,
то есть: Psat > 505,62 Вт х ГГц2 / fГГц2 для любого канала;
б) относительную ширину полосы частот 5% или более для любого канала;
в) планарный корпус (корпус микросхем, предназначенных для монтажа на поверхность) с длиной d (в см), равной результату (или меньшей, чем результат) деления величины 15 на наименьшую рабочую частоту (ГГц), то есть:
d 15 см х ГГц х N/fГГц,
где N - количество передающих или приемо-передающих каналов; и
г) фазовращатель с электронной регулировкой на канал;
8542 31 300 0;
8542 31 901 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 33 900 0;
8542 39 300 0;
8542 39 901 0;
8543 90 000 0
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Технические примечания:
1. Приемо-передающий модуль является многофункциональной электронной сборкой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов.
2. Передающий модуль является электронной сборкой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов.
3. Приемо-передающая монолитная микроволновая интегральная схема является многофункциональной монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов.
4. Передающая монолитная микроволновая интегральная схема является монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов.
5. Значение 2,7 ГГц должно использоваться как наименьшая рабочая частота (fГГц) в формуле, определенной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, для приемо-передающих или передающих модулей, которые имеют заявленный рабочий диапазон, увеличивающий нисхождение до 2,7 ГГц и ниже, то есть:
d 15 см х ГГц х N / 2,7 ГГц.
6. Пункт 3.1.1.2.11 применяется к приемо-передающим модулям или передающим модулям с теплоотводом (радиатором) или без него. Значение длины (d), указанной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, не включает в себя части приемо-передающих модулей или передающих модулей, работающих в качестве теплоотвода (радиатора).
7. Приемо-передающие модули, или передающие модули, или приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, или передающие интегральные схемы могут иметь или не иметь N элементов встроенных излучающих антенн, где
N - количество передающих или приемо-передающих каналов
(Дополнение техническими примечаниями - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Технические примечания:
1. Для целей пункта 3.1.1.2 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения может также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность.
2. Синтезатор частот - любой источник частоты, независимо от используемого фактического метода генерации, обеспечивающий множественность одновременных или альтернативных выходных частот (от одного или нескольких выходов), контролируемых, получаемых или регулируемых меньшим числом стандартных (или специальных) частот
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519) (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Особое примечание.
Для анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров общего назначения см. пункты 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 и 3.1.2.5 соответственно;
3.1.1.3.
Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:
3.1.1.3.1.
Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое, имеющие любую из следующих характеристик:
а) центральную частоту выше 6 ГГц; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
б) центральную частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и имеющие любую из следующих характеристик:
частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ;
произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
ширину полосы частот выше 250 МГц; или
дисперсионную задержку более 10 мкс; или (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
в) центральную частоту 1 ГГц и ниже и имеющие любую из следующих характеристик:
произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
дисперсионную задержку более 10 мкс; или
частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
8541 60 000 0
Техническое примечание.
Частотное подавление боковых лепестков - максимальная величина подавления, определенная в перечне технических характеристик (проспекте изделия);
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.1.3.2.
Приборы на объемных акустических волнах, обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 6 ГГц;
8541 60 000 0
3.1.1.3.3.
Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку
8541 60 000 0
Примечание.
Пункт 3.1.1.3 не применяется к приборам на акустических волнах, ограниченным пропусканием сигнала через однополосный фильтр, фильтр низких или верхних частот или узкополосный режекторный фильтр или функцией резонирования;
3.1.1.4.
Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, и имеющие любое из следующего:
а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10-14 Дж; или
б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;
8540;
8541;
8542;
8543
3.1.1.5.
Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:
3.1.1.5.1.
Элементы:
3.1.1.5.1.1. Первичные элементы, имеющие любую из следующих характеристик при температуре 20 °С:
а) плотность энергии, превышающую 550 Вт · ч/кг, и плотность длительной мощности выше 50 Вт/кг; или
б) плотность энергии, превышающую 50 Вт · ч/кг, и плотность длительной мощности выше 350 Вт/кг; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
8506
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.1.1.5.1.2.
Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 350 Вт · ч/кг при температуре 20 °C
8507
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
Технические примечания:
1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт х ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в ампер-часах, поделенным на массу в килограммах. Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах.
2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии. Он является основным компоновочным блоком батареи.
3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии.
4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии.
5. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 плотность длительной мощности (Вт/кг) определяется как произведение номинального напряжения в вольтах на определенный максимальный продолжительный ток разряда в амперах, поделенное на массу в килограммах. Плотностью длительной мощности можно также считать определенную мощность (Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.1.1.5.2.
Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:
3.1.1.5.2.1.
Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:
а) номинальное напряжение 5 кВ или более;
б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и
в) полную энергию 25 кДж или более;
8506;
8507;
8532
3.1.1.5.2.2.
Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:
а) номинальное напряжение 5 кВ или более;
б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;
в) полную энергию 100 Дж или более; и
г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более;
8506;
8507;
8532
3.1.1.5.3.
Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все следующие характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию более 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/мм2
8504 50;
8505 90 200 9
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
Примечание.
Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к сверхпроводящим электромагнитам или соленоидам, специально разработанным для медицинской аппаратуры отображения магнитного резонанса (аппаратуры магниторезонансной томографии);
3.1.1.5.4.
Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20% при рабочей температуре 301 К (28 °C) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/м2 при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО)
8541 40 900 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Техническое примечание.
АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равном одной астрономической единице (АЕ);
Примечание.
Пункт 3.1.1.5 не применяется к батареям, включая батареи, содержащие один элемент;
(Дополнение примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.1.1.6.
Преобразователи абсолютного углового положения вала, имеющие точность на входе в код, равную 1,0 угловая секунда или меньше (лучше), и специально разработанные для них кольца, диски или счетчики;
9031 80 320 0;
9031 80 340 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159, от 13.12.2018 № 714)
3.1.1.7.
Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик:
а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30 000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или
б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее:
пиковое напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
пиковый ток (ударный ток), равный или более 3000 А (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
8536 50 030 0;
8536 50 800 0;
8541 30 000 9
Примечания:
1. Пункт 3.1.1.7 включает:
кремниевые триодные тиристоры;
электрические триггерные тиристоры;
световые триггерные тиристоры;
коммутационные тиристоры с интегральными вентилями; вентильные запираемые тиристоры;
управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник);
солидтроны.
2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к тиристорным устройствам и тиристорным модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах
Техническое примечание.
Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств;
3.1.1.8.
Твердотельные силовые полупроводниковые переключатели, диоды или модули, имеющие все следующие характеристики:
а) рассчитанные для максимальной рабочей температуры р-n-перехода выше 488 К (215 °C);
б) повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (блокирующее напряжение), превышающее 300 В; и
в) постоянный ток более 1 А
8504 40 820 0;
8536 50 030 0;
8536 50 050 0;
8536 50 800 0;
8541 10 000 9;
8541 21 000 0;
8541 29 000 0;
8541 30 000 9;
8541 50 000 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
Примечания:
1. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии в пункте 3.1.1.8 включает напряжение сток - исток, выходное остаточное напряжение, повторяющееся импульсное обратное напряжение и блокирующее импульсное напряжение в закрытом состоянии.
2. Пункт 3.1.1.8 включает:
канальные полевые транзисторы с p-n-переходом (JFET);
канальные полевые транзисторы с вертикальным p-n-переходом (VJFET);
канальные полевые униполярные транзисторы на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник) (MOSFET);
канальные полевые двойные диффузные металл-оксид полупроводниковые транзисторы (DMOSFET);
трехфазные тяговые преобразователи на транзисторных ключах (IGBN);
транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭ-транзисторы) (НМЕТ);
биполярные плоскостные транзисторы (BJT);
тиристоры и управляемые кремниевые выпрямители (диоды) (SCR);
высоковольтные полупроводниковые запираемые тиристоры (GTO);
тиристоры с эмиттерами включения (ETO);
регулируемые резистивные диоды (PIN-диоды);
диоды Шоттки.
3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к переключателям, диодам или модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте, в гражданских автомобилях или в гражданских летательных аппаратах
Техническое примечание.
Для целей пункта 3.1.1.8 модуль содержит один или несколько твердотельных силовых полупроводниковых переключателей или диодов
3.1.1.9. Электрооптические модуляторы интенсивности, амплитуды или фазы, разработанные для аналоговых сигналов и имеющие любую из следующих характеристик:
а) максимальную рабочую частоту более 10 ГГц, но менее 20 ГГц, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:
1) полуволновое напряжение (В) менее 2,7 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или
2) полуволновое напряжение (В) менее 4 В, измеренное на частоте более 1 ГГц; или
б) максимальную рабочую частоту 20 ГГц или более, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:
1) полуволновое напряжение (В) менее 3,3 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или
2) полуволновое напряжение (В) менее 5 В, измеренное на частоте более 1 ГГц
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Примечание.
Пункт 3.1.1.9 включает электрооптические модуляторы, имеющие оптические входные и выходные разъемы (например, оптоволоконные гибкие выводы)
(Дополнение примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Техническое примечание.
Для целей пункта 3.1.1.9 полуволновым напряжением
(В) является приложенное напряжение, необходимое для совершения фазового перехода в 180 градусов на длине волны распространения излучения через оптический модулятор
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.1.2. Нижеперечисленные электронные сборки, модули и аппаратура общего назначения и принадлежности для них:
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и осциллографы:
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Особое примечание.
Для приборов преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов см. пункт 3.1.2.7;
(Дополнение особым примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.2.1.1.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.1.2.1.2.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.1.2.1.3.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.1.2.1.4.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.1.2.1.5.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
(Технические примечания исключены - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.2.1.6. Устройства записи цифровых данных, удовлетворяющие всем следующим условиям:
а) обладающие устойчивой пропускной способностью диска или твердотельной памяти более 6,4 Гбит/с; и
б) выполняющие обработку параметров радиочастотного сигнала одновременно с его записью (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
8471 50 000 0;
8471 60;
8471 70 200 0;
8471 70 300 0;
8471 70 500 0;
8519 89 900 9;
8521 90 000 9;
8522 90 490 0;
8522 90 800 0;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Технические примечания:
1. Для устройств записи с архитектурой на параллельной шине пропускная способность - произведение наивысшей скорости записи слов на количество бит (разрядов) в слове.
2. Пропускная способность - наивысшая скорость, с которой устройство может производить запись на диск или в твердотельную память без потери информации при сохранении скорости ввода данных или дискретизации;
(Дополнение техническими примечаниями - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519) (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.2.1.7. Осциллографы, работающие в реальном масштабе времени, имеющие среднеквадратичное напряжение собственных шумов по вертикальной оси менее 2% полной шкалы при вертикальной настройке, обеспечивающей минимальный уровень шума в полосе пропускания 60 ГГц на канал или более по уровню 3 дБ на любом из выходов
9030 20
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519) (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Примечание.
Пункт 3.1.2.1.7 не применяется к стробоскопическим осциллографам эквивалентного времени;
(Дополнение примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.1.2.2.
Анализаторы сигналов:
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.2.2.1.
Анализаторы сигналов, имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 40 МГц в любой точке частотного диапазона выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;
9030 84 000 9;
9030 89 300 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.2.2.2. Анализаторы сигналов, имеющие отображаемый на дисплее средний уровень шума (ОСУШ) меньше (лучше) -150 дБм/Гц в любой точке частотного диапазона выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;
9030 84 000 9;
9030 89 300 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.2.2.3.
Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 90 ГГц;
9030 84 000 9;
9030 89 300 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
3.1.2.2.4. Анализаторы сигналов, имеющие все следующие характеристики:
а) полосу частот в реальном масштабе времени, превышающую 170 МГц; и (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
б) имеющие любую из следующих характеристик:
стопроцентную вероятность обнаружения сигналов длительностью 15 мкс или менее со снижением менее 3 дБ от полной амплитуды вследствие промежутков или эффектов окон; или
функцию механизма запуска по частотной маске (триггера маски частоты) со стопроцентной вероятностью захвата сигналов длительностью 15 мкс или менее (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
9030 20 300 9;
9030 32 000 9;
9030 39 000 9;
9030 84 000 9;
9030 89 300 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Технические примечания:
1. Полоса частот в реальном масштабе времени (для динамических анализаторов сигналов) - наиболее широкий диапазон частот сигнала, который анализатор может выдать на отображающее или запоминающее устройство без нарушения непрерывности анализа входной информации. Для многоканальных анализаторов при оценке полосы частот в реальном масштабе времени должна использоваться конфигурация канала с наибольшим значением данного параметра.
2. Вероятность обнаружения, указанная в подпункте "б" пункта 3.1.2.2.4, также может называться вероятностью перехвата или захвата сигнала.
3. Для целей подпункта "б" пункта 3.1.2.2.4 длительность сигнала, необходимая для стопроцентной вероятности его обнаружения, является эквивалентом минимальной длительности сигнала, необходимой для заданного уровня погрешности измерения.
4. Механизм запуска по частотной маске для анализаторов сигналов - механизм, при применении которого функция запуска способна выбрать частотный диапазон для запуска анализатора сигнала в пределах полосы пропускания, игнорируя при этом другие сигналы, которые могут также присутствовать в пределах этой полосы пропускания. Механизм запуска по частотной маске может содержать более одного независимого набора ограничений
(Дополнение техническими примечаниями - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519) (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Примечание.
Пункт 3.1.2.2.4 не применяется к анализаторам сигналов, использующим только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.1.2.2.5. (Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519) (Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.1.2.3.
Генераторы сигналов, имеющие любую из следующих характеристик: (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
а) определенные для создания импульсно-модулированных сигналов в любом месте диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц, имеющие все следующее: (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
длительность импульса менее 25 нс; и
отношение уровня генерируемого импульса к уровню просачивающегося сигнала в паузе 65 дБ или более (В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
Техническое примечание.
Для целей абзаца первого подпункта "а" пункта 3.1.2.3 длительность импульса определяется как временной интервал от точки на переднем фронте импульса, который составляет 50% амплитуды импульса, до точки на заднем фронте импульса, который составляет 50% амплитуды импульса;
(Техническое примечание в редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
б) выходную мощность более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в любом месте диапазона частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; (В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
в) время переключения частоты, определенное любым из следующего:
менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;
менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц; или
менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона частот выше 37 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;
(Подпункт в редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
г) фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц, как определено любым из следующего:
меньше (лучше) -(126 + 20 log10F - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 Гц F 10 кГц в пределах диапазона частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 90 ГГц (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
меньше (лучше) -(206 - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 кГц < F 100 кГц в пределах диапазона частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или
(Подпункт в редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Техническое примечание.
В подпункте "г" пункта 3.1.2.3 F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц
(Техническое примечание в редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519) д) радиочастотную ширину полосы модулирующих частот цифровых немодулированных сигналов, обладающую любой из следующих характеристик: превышающую 2,2 ГГц в пределах диапазона частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц; превышающую 550 МГц в пределах диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц; или превышающую 2,2 ГГц в пределах диапазона частот выше 37 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или (Подпункт в редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109) 8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 20 000 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Техническое примечание.
Радиочастотная ширина полосы модулирующих частот - радиочастотная ширина полосы частот, производимая цифровым немодулированным сигналом закодированного цифрового радиочастотного сигнала. Также называется шириной информационной полосы частот или векторной шириной полосы частот модуляции. I/Q цифровая модуляция является техническим методом, производящим векторно-модулированные радиочастотные выходные сигналы. Такие выходные сигналы обычно определяются как имеющие радиочастотную ширину полосы частот модуляции
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
е) максимальную частоту, превышающую 90 ГГц
(Дополнение подпунктом - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
Примечания:
1. Для целей пункта 3.1.2.3 генераторы сигналов включают в себя генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Техническое примечание.
Максимальная частота генератора импульсов произвольной формы или генератора функций определяется путем деления частоты выборки (выборка/с) на коэффициент 2,5
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
2. Пункт 3.1.2.3 не применяется к аппаратуре, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты;
3.1.2.4. Схемные анализаторы, имеющие любое из следующего:
а) выходную мощность, превышающую 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
б) выходную мощность, превышающую 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 90 ГГц, но не превышающего 110 ГГц; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
в) функцию нелинейного векторного анализа на частотах выше 50 ГГц, но не превышающих 110 ГГц; или (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Техническое примечание.
Нелинейным вектором измерения функциональности является способность прибора анализировать результаты испытаний устройств, приводящих в область большого сигнала или в диапазон нелинейного искажения
г) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц;
9030 40 000 0
(Пункт в редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.1.2.5.
Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики:
а) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц; и (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;
8517 69 390 0
3.1.2.6.
Атомные эталоны частоты:
3.1.2.6.1.
Пригодные для применения в космосе
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 20 000 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Особое примечание.
В отношении атомных эталонов частоты, указанных в пункте 3.1.2.6.1, см. также пункт 3.1.1 раздела 2;
3.1.2.6.2.
Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие долговременную стабильность меньше (лучше) 1 х 10-11 в месяц;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 20 000 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.2.6.3.
Рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе и имеющие все нижеследующее:
а) долговременную стабильность меньше (лучше) 1 х 10-11 в месяц; и
б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 20 000 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.2.7. Электронные сборки, модули или оборудование, предназначенные для выполнения всего следующего:
а) аналого-цифровых преобразований, имеющих любую из следующих характеристик:
разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более 1,3 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более 400 млн. выборок в секунду; или
разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 180 млн. выборок в секунду; и
(Подпункт в редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
б) любых следующих действий:
вывода оцифрованных данных;
хранения оцифрованных данных; или
обработки оцифрованных данных
8471 90 000 0;
8543 70 900 0
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Особое примечание.
Устройства записи цифровых данных, осциллографы, анализаторы сигналов, генераторы сигналов, сетевые анализаторы и микроволновые приемники-тестеры определены в пунктах 3.1.2.1.6, 3.1.2.1.7, 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 и 3.1.2.6 соответственно
(Дополнение особым примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Технические примечания:
1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.
2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП.
3. Для многоканальных электронных сборок, модулей или оборудования без временного разделения каналов выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.
4. Для многоканальных электронных сборок, модулей или оборудования с временным разделением каналов частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159) (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Примечание.
Пункт 3.1.2.7 включает платы АЦП, дискретизаторы аналоговых сигналов, платы сбора данных, платы обработки сигналов и устройства регистрации переходных процессов
(Дополнение примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.1.3.
Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты
8419 89 989 0;
8424 89 000 9;
8479 89 970 8
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.2.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование
3.2.1.
Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:
3.2.1.1.
Оборудование, разработанное для эпитаксиального выращивания:
3.2.1.1.1.
Оборудование, разработанное или модифицированное для производства слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее ±2,5% на расстоянии 75 мм или более
8486 10 000 9
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Примечание.
Пункт 3.2.1.1.1 включает оборудование для эпитаксиального выращивания атомного слоя;
3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, разработанные для эпитаксиального выращивания полупроводниковых соединений из материала, содержащего два или более из следующих элементов: алюминий, галлий, индий, мышьяк, фосфор, сурьма или азот;
8486 20 900 9
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
(Особое примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.2.1.1.3.
Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников;
8486 10 000 9
3.2.1.2. Оборудование, разработанное или оптимизированное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик:
а) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для водородных, дейтериевых или гелиевых имплантатов;
б) возможность непосредственного формирования рисунка;
в) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; или
г) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для имплантации кремния в подложку полупроводникового материала, нагретую до температуры 600 °С или более;
8486 20 900 9
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.2.1.3.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.2.1.4.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.2.1.4.1.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.2.1.4.2.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.2.1.5.
Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральным транспортно-загрузочным устройством для пластин (подложек), имеющие все следующее:
а) средства сопряжения для загрузки и выгрузки пластин (подложек), разработанные для возможности присоединения более двух отличных по функциональным возможностям инструментов для обработки полупроводников, определенных в пункте 3.2.1.1.1, 3.2.1.1.2, 3.2.1.1.3 или 3.2.1.2; и (В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
б) разработанные для создания интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме
8456 10 00;
8456 40 000 0; 8456 90 000 0;
8479 50 000 0;
8486 20 900 2;
8486 20 900 3
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
Технические примечания:
1. Для целей пункта 3.2.1.5 инструменты для обработки полупроводников относятся к инструментам модульной конструкции, которые обеспечивают такие, отличные по функциональности, физические процессы производства полупроводников, как осаждение, имплантация или термообработка. (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
2. Для целей пункта 3.2.1.5 многопозиционная обработка пластин (подложек) означает возможность обрабатывать каждую пластину (подложку) с помощью различных инструментов для обработки полупроводников, например, путем передачи каждой пластины (подложки) от первого инструмента ко второму и далее к третьему посредством автоматически загружаемых многокамерных систем с центральным транспортно-загрузочным устройством
Примечание.
Пункт 3.2.1.5 не применяется к автоматическим роботизированным системам для загрузки-разгрузки пластин (подложек), специально разработанным для параллельной обработки пластин (подложек);
3.2.1.6.
Оборудование для литографии:
3.2.1.6.1.
Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего:
а) источник света с длиной волны короче 193 нм; или (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 45 нм и менее (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
8443 39 390 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Техническое примечание.
Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле:
МРР = (длина волны источника света в нанометрах) х (К фактор) / (числовая апертура), где К фактор = 0,35;
3.2.1.6.2.
Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 45 нм нм или менее
8443 39;
8486 20 900
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Примечание.
Пункт 3.2.1.6.2 включает:
а) инструментальные средства для микроконтактной литографии;
б) инструментальные средства для горячего тиснения;
в) литографические инструментальные средства для нанопечати;
г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати;
3.2.1.6.3. Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов, удовлетворяющее всем следующим условиям:
а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; и
б) имеющее любую из следующих характеристик:
полную ширину пятна на полувысоте пучка менее 65 нм и на поверхности размещения изображения менее 17 нм (с вероятностью +3 сигма); или
погрешность совмещения второго слоя менее 23 нм (с вероятностью +3 сигма) на шаблоне;
8456 11 000 0;
8456 12 000 0;
8486 20 900 3;
8486 40 000 1
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.2.1.6.4. Производственное оборудование, разработанное для прямого формирования рисунка на подложке, удовлетворяющее всем следующим условиям:
а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный пучок; и
б) имеющее любую из следующих характеристик:
минимальный диаметр пучка 15 нм или менее; или
погрешность совмещения второго слоя менее 27 нм (с вероятностью +3 );
8456 11 000 0;
8456 12 000 0;
8486 20 900 3;
8486 40 000 1
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.2.1.7.
Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1;
8486 90 900 3
3.2.1.8.
Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, иные чем определенные в пункте 3.2.1.6 и разработанные для применения в литографическом оборудовании, имеющем длину волны источника оптического излучения менее 245 нм
8486 90 900 3
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
Примечание.
Пункт 3.2.1.8 не применяется к многослойным шаблонам с фазосдвигающим слоем, разработанным для изготовления запоминающих устройств, иных чем определенных в пункте 3.1.1
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
Особое примечание.
Для масок и промежуточных шаблонов, специально разработанных для оптических датчиков см. пункт 6.2.2;
(Дополнение особым примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
3.2.1.9.
Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1
8486 90 900 3
3.2.1.10. Шаблонные заготовки (на подложке) со структурой многослойного зеркала, состоящие из молибдена и кремния и имеющие все следующие характеристики:
а) специально разработанные для субмикронной ультрафиолетовой литографии; и
б) совместимые со стандартом SEMI P37
8486 90 900 3
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Техническое примечание.
"Субмикронная ультрафиолетовая" относится к длинам волны электромагнитного спектра более 5 нм и менее 124 нм
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.2.2.
Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров изделий, определенных в пункте 3.1.1.2.3;
9031 80 380 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.2.2.2. Для испытания изделий, определенных в пункте 3.1.1.2.2
9030;
9031 20 000 0;
9031 80 380 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.3.
Материалы
3.3.1.
Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:
3.3.1.1.
Кремний (Si);
3818 00 100 0;
3818 00 900 0
3.3.1.2.
Германий (Ge);
3818 00 900 0
3.3.1.3.
Карбид кремния (SiC); или
3818 00 900 0
3.3.1.4.
Соединения III - V на основе галлия или индия
3818 00 900 0
Примечание.
Пункт 3.3.1.4 не применяется к подложкам, имеющим один эпитаксиальный слой Р-типа или более на основе соединений GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP или InGaAlP, независимо от последовательности элементов, за исключением случаев, когда эпитаксиальный слой Р-типа находится между слоями N-типа
(Дополнение примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519) (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.3.2.
Резисты, определенные ниже, а также подложки, покрытые ими:
3.3.2.1. Резисты, разработанные для полупроводниковой литографии:
а) позитивные резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от 15 нм до 193 нм; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
б) резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от более 1 нм до 15 нм;
3824 84 000 0; 3824 85 000 0; 3824 86 000 0; 3824 87 000 0; 3824 88 000 0; 3824 99 920 3; 3824 99 920 9; 3824 99 930 9; 3824 99 960 9
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
3.3.2.2.
Все резисты, разработанные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/мм2 или лучше;
3824 84 000 0; 3824 85 000 0; 3824 86 000 0; 3824 87 000 0; 3824 88 000 0; 3824 99 920 3; 3824 99 920 9; 3824 99 930 9; 3824 99 960 9
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
3.3.2.3.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.3.2.4.
Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка
3824 84 000 0; 3824 85 000 0; 3824 86 000 0; 3824 87 000 0; 3824 88 000 0; 3824 99 920 3; 3824 99 920 9; 3824 99 930 9; 3824 99 960 9
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
(Техническое примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
3.3.2.5.
Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, определенным в пункте 3.2.1.6.2 и использующим процесс термообработки или светоотверждения
3824 84 000 0; 3824 85 000 0; 3824 86 000 0; 3824 87 000 0; 3824 88 000 0; 3824 99 920 3; 3824 99 920 9; 3824 99 930 9; 3824 99 960 9
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
3.3.3.
Следующие органо-неорганические соединения:
3.3.3.1.
Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999%;
2931 10 000 0; 2931 20 000 0;
2931 39 000 0; 2931 90 800 9
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
3.3.3.2.
Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999%
2931 10 000 0; 2931 20 000 0;
2931 39 000 0; 2931 90 800 9
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
Примечание.
Пункт 3.3.3 применяется только к соединениям, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы
3.3.4.
Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде
2850 00 200 0;
2853 90 900 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Примечание.
Пункт 3.3.4 не применяется к гидридам, содержащим 20% или более молей инертных газов или водорода
3.3.5. Материалы с высоким сопротивлением:
а) полупроводниковые подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 10 000 Ом х см при температуре 20 °С;
б) поликристаллические или керамические подложки, имеющие сопротивление более 10 000 Ом х см при температуре 20 °С и как минимум один неэпитаксиальный монокристаллический слой из кремния (Si), карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) на поверхности подложки
3818 00 900 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.3.6.
Материалы, не определенные в пункте 3.3.1, состоящие из подложек, определенных в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN)
3818 00 900 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.4.
Программное обеспечение
3.4.1.
Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, определенного в пунктах 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или 3.2
3.4.2.
Программное обеспечение, специально разработанное для применения оборудования, определенного в пунктах 3.2.1.1 - 3.2.1.6 или 3.2.2
3.4.3.
Программное обеспечение для вычислительной литографии, специально разработанное для формирования рисунков на масках или промежуточных шаблонах, получаемых путем субмикронной ультрафиолетовой литографии
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
Техническое примечание.
Вычислительная литография - использование компьютерного моделирования для прогнозирования, корректировки, оптимизации и подтверждения качества формирования изображений литографического процесса с использованием различных шаблонов, процессов и состояний системы
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
(Примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
3.4.4.
Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования (систем), определенного в пункте 3.1.3
3.4.5.
Программное обеспечение, специально разработанное для восстановления нормальной работы микроЭВМ, микросхем микропроцессора или микроЭВМ в течение 1 мс после воздействия на них электромагнитными импульсами или электростатическими разрядами без прекращения выполняемых операций
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
3.5.
Технология
3.5.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования, определенного в пункте 3.1 или 3.2, или материалов, определенных в пункте 3.3
Примечание.
Пункт 3.5.1 не применяется: а) к технологиям для оборудования (систем) или компонентов, определенных в пункте 3.1.3;
б) к технологиям для интегральных схем, определенных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и имеющих все следующее:
использующих технологии при разрешении 0,130 мкм или выше (хуже); и
содержащих многослойные структуры с тремя металлическими слоями или менее;
в) к инструментарию по технологической подготовке производства до тех пор, пока он не включает в себя библиотеки, выполняющие функции или включающие технологии для изделий, определенных в пункте 3.1.1
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Техническое примечание.
К инструментарию по технологической подготовке производства относится пакет программного обеспечения, предоставленный производителем полупроводников, предназначенный для гарантирования того, что приняты во внимание требуемые практики и правила для успешного производства интегральных схем определенного дизайна в определенном полупроводниковом процессе в соответствии с технологическими и производственными ограничениями (каждый процесс производства полупроводников имеет свой собственный инструментарий по технологической подготовке производства)
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3.5.2.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие по сравнению с теми, которые определены в пункте 3.5.1, для разработки или производства ядра микросхем микропроцессора, микроЭВМ или микроконтроллера, имеющих арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более и любые из нижеприведенных особенностей или характеристик:
а) блок векторного процессора, предназначенный для выполнения более двух вычислений с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно
Техническое примечание.
Блок векторного процессора является процессорным элементом со встроенными операторами, которые выполняют многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно, имеющим, по крайней мере, одно векторное арифметико- логическое устройство и векторные регистры с числом элементов не менее 32 в каждом; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
б) разработанных для выполнения более четырех 64-разрядных или более операций с плавающей запятой, проходящих за цикл; или (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
в) разработанных для выполнения более восьми 16-разрядных операций умножения с накоплением с фиксированной запятой, проходящих за цикл (например, цифровая обработка аналоговой информации, которая была предварительно преобразована в цифровую форму, также известная как цифровая обработка сигналов) (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
(Примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Технические примечания:
1. Для целей подпунктов "а" и "б" пункта 3.5.2 плавающая запятая определяется в соответствии со стандартом IEEE-754.
2. Для целей подпункта "в" пункта 3.5.2 фиксированная запятая относится к моноширинному действительному числу одновременно с целым и дробным числами и не включает в себя исключительно целые числа
(Дополнение техническими примечаниями - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
Примечания:
1. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям мультимедийных расширений.
2. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям ядер микропроцессоров, имеющих все следующее: (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
использующих технологии с разрешением 0,130 мкм или выше (хуже); и
содержащих многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями.
3. Пункт 3.5.2 включает технологии для разработки или производства процессоров цифровой обработки сигналов и цифровых матричных процессоров (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
3.5.3.
Прочие технологии разработки или производства:
а) вакуумных микроэлектронных приборов;
б) полупроводниковых электронных приборов на гетероструктурах, таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Примечание.
Подпункт "б" пункта 3.5.3 не применяется к технологиям для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;
в) сверхпроводящих электронных приборов;
г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния;
е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов;
ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше
3.5.4.
Технологии, требуемые для резки, шлифовки и полировки кремниевых пластин диаметром 300 мм в целях достижения вычисленного методом наименьших квадратов расстояния от передней поверхности контактной площадки в 20 нм или менее для любой контактной площадки размером 26 мм х 8 мм на передней поверхности пластины и отклонения краев 2 мм или менее
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
Техническое примечание.
Для целей пункта 3.5.4 расстояние от передней поверхности контактной площадки, вычисленное методом наименьших квадратов, - расстояние максимального и минимального отклонения от передней эталонной плоскости, вычисленное методом наименьших квадратов со всеми данными о передней поверхности, включая границы площадки в пределах контактной площадки
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА
Примечания:
1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации).
2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации)
Особое примечание.
Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт пункт 5.4.1
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Техническое примечание.
Оперативная память - основное место хранения данных или инструкций для быстрого доступа из центрального процессора. Состоит из внутренней памяти цифрового компьютера и любых иерархических расширений, таких как кэш-память или расширенная память параллельного доступа
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
3. (Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
4.1.
Системы, оборудование и компоненты
4.1.1.
ЭВМ и сопутствующее оборудование, специально разработанные, чтобы отвечать любому из нижеприведенных условий, а также электронные сборки и специально разработанные компоненты для них:
а) быть определенными изготовителем для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-45 °C) или выше 358 К (85 °C); или
8471
Примечание.
Подпункт "а" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских автомобилей, железнодорожных поездов или гражданских летательных аппаратов
б) быть радиационно стойкими при превышении любого из определенных ниже требований:
1) общей дозы 5 x 10.3 Гр (по кремнию) [5 x 10.5рад];
2) мощности дозы 5 x 10.6Гр (по кремнию)/с [5 x 10.8 рад/с]; или
3) сбоя от однократного события 10-8 ошибок/бит/день
Примечание.
Подпункт "б" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских летательных аппаратов
Особое примечание.
В отношении ЭВМ и сопутствующего оборудования, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
4.1.2.
Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, определенные ниже, а также специально разработанные для них компоненты:
Примечания:
1. Пункт 4.1.2 включает:
а) векторные процессоры;
б) матричные процессоры;
в) процессоры цифровой обработки сигналов;
г) логические процессоры;
д) оборудование для улучшения качества изображения. (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
е) (Подпункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если:
а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем;
б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и
Особые примечания:
1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента.
2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации)
в) технология цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5
4.1.2.1.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
4.1.2.2.
Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 29 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ);
8471 60;8471 70;
8471 80 000 0;
8471 90 000 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159, от 13.12.2018 № 714)
4.1.2.3.
Электронные сборки, специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, определенное в пункте 4.1.2.2
8471 60;
8471 70;
8471 80 000 0;
8471 90 000 0
Примечания:
1. Пункт 4.1.2.3 применяется только к электронным сборкам и программируемым взаимосвязям, не превышающим пределы, определенные в пункте 4.1.2.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок. (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
2. Пункт 4.1.2.3 не применяется к электронным сборкам, специально разработанным для отдельных изделий или целого семейства изделий, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, определенные в пункте 4.1.2.2;
Особое примечание.
Для электронных сборок, модулей или аппаратуры, выполняющих аналого-цифровые преобразования, см. пункт 3.1.2.7;
(Дополнение особым примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
4.1.2.4.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
4.1.2.5.
Устройства, специально разработанные для получения общей производительности цифровых ЭВМ, объединенных с помощью внешних соединений, которые имеют однонаправленную скорость передачи данных, превышающую 2,0 Гбайт/с на канал
8471 90 000 0;
8517 61 000 1;
8517 62 000
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Примечание.
Пункт 4.1.2.5 не применяется к внутренним (например, соединительные платы, шины) или пассивным устройствам связи, контроллерам доступа к сети или контроллерам каналов связи
4.1.3.
ЭВМ, определенные ниже, и специально разработанные сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них:
4.1.3.1.
ЭВМ с систолической матрицей;
8471
4.1.3.2.
Нейронные ЭВМ;
8471
4.1.3.3.
Оптические ЭВМ
8471
Технические примечания:
1. ЭВМ с систолической матрицей - компьютер, в котором поток данных и их преобразование могут контролироваться динамически на уровне логической схемы пользователя.
2. Нейронная ЭВМ - вычислительное устройство, разработанное или модифицированное для имитации поведения нейрона или совокупности нейронов, например вычислительное устройство, характеризуемое способностью аппаратуры модулировать вес и количество взаимных связей множества вычислительных компонентов на основе предыдущей информации.
3. Оптическая ЭВМ - аппаратура, спроектированная или модифицированная в целях использования оптического излучения для представления данных, вычислительные логические элементы которой основаны на непосредственно связанных между собой оптических устройствах
(Дополнение техническими примечаниями - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
4.1.4. Системы, оборудование и компоненты, специально разработанные или модифицированные для создания, функционирования или внедрения с использованием средств связи программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети
8471;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
4.2.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет
4.3.
Материалы - нет
4.4.
Программное обеспечение
Примечание.
Контрольный статус программного обеспечения для оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
4.4.1.
Программное обеспечение следующих видов:
4.4.1.1.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно;
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
4.4.1.2.
Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 4.4.1.1, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства:
а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 15 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или (В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159, от 13.12.2018 № 714)
б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.4.1.2
Особое примечание.
В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт 4.4.1 раздела 2
4.4.2.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
4.4.3. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для создания, функционирования или внедрения с использованием средств связи программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
(Особое примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Примечание.
Пункт 4.4.3 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному для предоставления обновлений или модернизации программного обеспечения (ограниченного указанными функциями), соответствующему всему следующему:
а) обновление или модернизация запускается только при авторизации владельцем или администратором системы, получающей обновление или модернизацию; и
б) после обновления или модернизации обновленное или модернизированное программное обеспечение не является любым из следующего:
программным обеспечением, определенным в пункте 4.4.3; или
программным обеспечением, предназначенным для несанкционированного доступа в компьютерные сети
(Дополнение примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
4.5.
Технология
4.5.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно
4.5.2.
Технологии иные, чем определенные в пункте 4.5.1, специально разработанные или модифицированные для разработки или производства:
а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 15 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или (В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159, от 13.12.2018 № 714)
б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.5.2
4.5.3. Технологии для разработки программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Примечания:
1. Пункты 4.5.1 и 4.5.3 не применяются к технологиям обнаружения уязвимостей и реагирования на кибератаку.
2. Пункт 1 настоящего примечания не ограничивает право национального уполномоченного органа страны-экспортера убедиться в соответствии технологий условиям пунктов 4.5.1 и 4.5.3
(Дополнение примечаниями - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Дополнение техническими примечаниями - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714) (Технические примечания исключены - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
Особое примечание.
В отношении технологий, указанных в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 раздела 2
Техническое примечание по определению приведенной пиковой производительности (ППП).
ППП - приведенная пиковая скорость, на которой цифровые ЭВМ выполняют 64-разрядные или более операции сложения и умножения с плавающей запятой.
Сокращения, используемые в настоящем техническом примечании:
n - количество процессоров в цифровой ЭВМ
i - номер процессора (i, ... n)
ti - время цикла процессора (ti = 1/Fi)
Fi - частота процессора
Ri - пиковая скорость вычисления с плавающей запятой
Wi - коэффициент согласования с архитектурой.
ППП выражается во взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) - триллионах (10.12) приведенных операций с плавающей запятой в секунду.
Схема способа вычисления ППП:
1. Для каждого процессора i определяется максимальное количество 64-разрядных или более операций с плавающей запятой (ОПЗi), выполняемых за цикл каждым процессором цифровой ЭВМ.
Примечание.
При определении ОПЗ учитываются только 64-разрядные или более операции сложения или умножения с плавающей запятой за цикл процессора. Операции, требующие многочисленных циклов, могут быть выражены в дробных результатах за цикл процессора. Для процессоров, неспособных выполнять вычисления c 64-разрядными или более операциями с плавающей запятой, эффективная скорость вычисления R равна нулю. (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
2. Вычисляется скорость с плавающей запятой R для каждого процессора:
Ri = ОПЗi / ti.
3. Вычисляется ППП следующим образом:
ППП = W1 x R1 + W2 x R2 +... + Wn x Rn.
4. Для векторных процессоров - Wi = 0,9, для невекторных процессоров - Wi = 0,3.
Примечания:
1. Для процессоров, которые выполняют составные операции в цикле, такие как сложение и умножение, считается каждая операция.
2. Для конвейерного процессора эффективная скорость вычисления R выше конвейерной скорости при загруженном конвейере или неконвейерной скорости.
3. Скорость вычисления R каждого содействующего процессора должна быть рассчитана по его максимальной теоретически возможной величине перед определением ППП всей комбинации процессоров. Одновременные операции считаются таковыми, когда производитель ЭВМ заявляет в руководстве пользователя или документации к ЭВМ о совпадающих, параллельных или одновременных операциях или процессах исполнения процессором команд программы.
4. При вычислении ППП не учитываются процессоры, ограниченные входными/выходными и периферийными функциями (например, дисководы, устройства связи и мониторы).
5. Значения ППП не следует вычислять для комбинаций процессоров, объединенных локальными сетями, глобальными сетями, совместно используемыми соединениями/устройствами ввода/вывода, контроллерами ввода/вывода и любыми коммуникационными соединениями, осуществляемыми при помощи программного обеспечения.
6. Значения ППП должны вычисляться для комбинаций процессоров, содержащих специально разработанные процессоры для повышения производительности путем объединения одновременно работающей и совместно используемой памяти. (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Технические примечания:
1. Объединение всех процессоров и ускорителей, работающих одновременно и расположенных на одной матрице.
2. Комбинации процессоров могут достигаться путем использования электронных сборок, определенных в пункте 4.1.2.3, и используют память, когда любой из процессоров способен получить доступ к любой ячейке памяти в системе посредством передачи аппаратным средством строк кэша или слов памяти без привлечения какого-либо программного механизма.
(Дополнение техническими примечаниями - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519) (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
7. Векторный процессор определяется как процессор со встроенными командами, который выполняет многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 64-разрядными и более массивами) одновременно, имеющий по крайней мере два векторных функциональных устройства и восемь регистров для хранения векторов емкостью по крайней мере 64 элемента каждый
№ пункта
Наименование
Код ТН ВЭД
КАТЕГОРИЯ 5
Часть 1. Телекоммуникации
Примечания:
1. В части 1 категории 5 определяется контрольный статус компонентов, испытательного и производственного оборудования, а также программного обеспечения для них, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем
Особое примечание.
В отношении лазеров, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем, см. пункт 6.1.5
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
2. В тех случаях, когда для функционирования или поддержки телекоммуникационного оборудования, описанного в этой категории, и его обеспечения важное значение имеют цифровые ЭВМ, сопутствующее оборудование или программное обеспечение, последние рассматриваются в качестве специально разработанных компонентов при условии, что они являются стандартными моделями, обычно поставляемыми производителем. Это относится к компьютерным системам, реализующим функции управления, сетевого администрирования, технического обслуживания, проектирования или прогнозирования трафика
5.1.1.
Системы, оборудование и компоненты (телекоммуникационные системы, оборудование (аппаратура), компоненты и принадлежности, определенные ниже)
5.1.1.1.
Телекоммуникационное оборудование любого типа, имеющее любую из следующих характеристик, функций или возможностей:
5.1.1.1.1.
Специально разработанное для сохранения работоспособности при кратковременных электронных воздействиях или воздействиях электромагнитных импульсов, возникающих при ядерном взрыве;
8517 12 000 0;
8517 61 000 2;
8517 61 000 8;
8517 69 390 0;
8525 60 000 9;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
5.1.1.1.2.
Специально повышенную стойкость к гамма-, нейтронному или ионному излучению;
8517 12 000 0;
8517 61 000 2;
8517 61 000 8;
8517 69 390 0;
8525 60 000 9;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159, от 13.12.2018 № 714)
5.1.1.1.3. Специально разработанное для функционирования при температуре ниже 218 К (-55 °С); или
8517 12 000 0;
8517 61 000 2;
8517 61 000 8;
8517 69 390 0;
8525 60 000 9;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
5.1.1.1.4. Специально разработанное для функционирования при температуре выше 397 К (124 °С)
8517 12 000 0;
8517 61 000 2;
8517 61 000 8;
8517 69 390 0;
8525 60 000 9;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Примечания:
1. Пункты 5.1.1.1.3 и 5.1.1.1.4 применяются только к электронному оборудованию.
2. Пункты 5.1.1.1.2 - 5.1.1.1.4 не применяются к оборудованию, разработанному или модифицированному для использования на борту спутников
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
5.1.1.2.
Телекоммуникационные системы и оборудование, а также специально разработанные для них компоненты и принадлежности, имеющие любую из следующих характеристик, функций или возможностей:
5.1.1.2.1.
Являющиеся системами подводной беспроводной связи, имеющими любую из следующих характеристик:
а) акустическую несущую частоту за пределами интервала от 20 кГц до 60 кГц;
б) использующими электромагнитную несущую частоту ниже 30 кГц; или
в) использующими электронное управление положением главного лепестка (диаграммы направленности антенны); или
г) использующими в локальной сети лазеры или светоизлучающие диоды (СИД) с выходной длиной волны более 400 нм, но менее 700 нм;
9014 80 000 0;
9015 80 910 0
5.1.1.2.2.
Являющиеся радиоаппаратурой, работающей в диапазоне частот 1,5 МГц - 87,5 МГц и имеющей все следующие характеристики:
а) возможность автоматически прогнозировать и выбирать частоты и общие скорости цифровой передачи в канале для оптимизации передачи полезного сигнала; и
б) встроенный линейный усилитель мощности, способный одновременно пропускать множество сигналов с выходной мощностью 1 кВт или более в диапазоне частот от 1,5 МГц до 30 МГц или 250 Вт или более в диапазоне частот от 30 МГц до 87,5 МГц включительно на мгновенной ширине полосы частот в одну октаву или более и с гармониками и искажениями на выходе лучше -80 дБ;
8517 12 000 0;
8517 61 000 2;
8517 61 000 8;
8525 60 000 9
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.1.1.2.3.
Являющиеся радиоаппаратурой, использующей методы расширения спектра, включая метод скачкообразной перестройки частоты, не определенной в пункте 5.1.1.2.4, имеющей любую из следующих характеристик:
а) коды расширения, программируемые пользователем; или
б) общую ширину передаваемой полосы частот выше 50 кГц, при этом она в 100 или более раз превышает ширину полосы частот любого единичного информационного канала
8517 12 000 0;
8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8525 60 000 9
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Примечание.
Подпункт "б" пункта 5.1.1.2.3 не применяется к радиоаппаратуре, специально разработанной для использования с любым из следующего:
а) гражданскими системами сотовой радиосвязи; или
б) стационарными или мобильными наземными спутниковыми станциями для гражданских коммерческих сетей связи
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Примечание.
Пункт 5.1.1.2.3 не применяется к аппаратуре, разработанной для эксплуатации с выходной мощностью 1,0 Вт или менее
Особое примечание.
В отношении радиоаппаратуры, указанной в пункте 5.1.1.2.3, см. также пункт 5.1.1.1.1 раздела 2;
5.1.1.2.4.
Являющиеся радиоаппаратурой, использующей технику сверхширокополосной модуляции, имеющей программируемые пользователем коды формирования каналов, коды шифрования или коды опознавания сети, имеющей любую из следующих характеристик:
а) ширину полосы частот, превышающую 500 МГц; или
б) относительную ширину полосы частот 20% или более;
8517 12 000 0;
8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8525 60 000 9
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.1.1.2.5.
Являющиеся радиоприемными устройствами с цифровым управлением, имеющими все следующие характеристики:
а) более 1000 каналов;
б) время переключения канала менее 1 мс; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
в) автоматический поиск или сканирование в части спектра электромагнитных волн; и
г) возможность идентификации принятого сигнала или типа передатчика; или
8527
Примечание.
Пункт 5.1.1.2.5 не применяется к устройствам, специально разработанным для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи
Техническое примечание.
Время переключения канала - время (задержка по времени), необходимое для перехода с одной приемной частоты на другую для достижения диапазона частот в пределах ±0,05% от значения конечной определенной приемной частоты. Изделия, имеющие заданный приемный частотный диапазон в пределах менее ±0,05% около их центральной частоты, определяются как неспособные к переключению частоты канала (часть 1 категории 5)
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Особое примечание.
В отношении радиоприемных устройств, указанных в пункте 5.1.1.2.5, см. также пункт 5.1.1.1.2 раздела 2 и пункт 5.1.1.1 раздела 3;
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.1.1.2.6.
Использующие функции цифровой обработки сигнала на выходном устройстве для обеспечения кодирования речи со скоростью менее 700 бит/с
8517 12 000 0;
8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8525 60 000 9
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 13.12.2018 № 714)
Технические примечания:
1. Пункт 5.1.1.2.6 применяется при наличии выходного устройства для кодирования речевых сигналов связной речи с изменяющейся скоростью.
2. Для целей пункта 5.1.1.2.6 "кодирование речи" определяется как техника взятия образцов человеческого голоса с последующим преобразованием этих образцов в цифровой сигнал с учетом специфических параметров человеческой речи
5.1.1.3.
Оптические волокна длиной более 500 м и определенные производителем как способные выдерживать при контрольном испытании растягивающее напряжение 2 x 10.9 Н/м2 или более
8544 70 000 0;
9001 10 900
Техническое примечание.
Контрольное испытание - отборочное испытание в режиме онлайн (встроенное в технологическую цепочку получения волокна) или проводимое отдельно, которое заключается в приложении заданного растягивающего напряжения к движущемуся со скоростью от 2 м/с до 5 м/с волокну на участке длиной от 0,5 м до 3 м между натяжными барабанами диаметром около 150 мм. Испытания могут проводиться по соответствующим национальным стандартам при температуре окружающей среды 293 К (20 °C) и относительной влажности 40%
Особое примечание.
Для подводных составных кабелей см. пункт 8.1.2.1.3;
5.1.1.4. Фазированные антенные решетки с электронным управлением диаграммой направленности, определенные для работы:
а) на частотах выше 31,8 ГГц, но не более 57 ГГц при эффективной мощности излучения (ЭМИ), равной или более +20 дБм (22,15 дБм эффективной изотропно излучаемой мощности (ЭИИМ);
б) на частотах выше 57 ГГц, но не более 66 ГГц и имеющие ЭМИ, равную или более +24 дБм (26,15 дБм ЭИИМ);
в) на частотах выше 57 ГГц, но не более 66 ГГц и имеющие ЭМИ, равную или более +20 дБм (22,15 дБм ЭИИМ);
г) на частотах выше 90 ГГц
8529 10 950 0;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Примечания:
1. Пункт 5.1.1.4 не применяется к фазированным антенным решеткам с электронным управлением диаграммой направленности для систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам Международной организации гражданской авиации (ИКАО), перекрывающим системы посадки СВЧ-диапазона (MLS).
2. Пункт 5.1.1.4 не применяется к антеннам, специально разработанным для любого из следующего:
а) гражданских сотовых или беспроводных локальных сетей систем радиосвязи; б) беспроводной ближней коротковолновой радиосвязи (на расстояниях до 30 м), позволяющей объединять устройства разных типов для передачи речи и данных, или беспроводного HDMI-стандарта; или
в) стационарных или мобильных спутниковых наземных станций, используемых для коммерческих гражданских телекоммуникаций
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Техническое примечание.
Для целей пункта 5.1.1.4 фазированной антенной решеткой с электронным управлением диаграммой направленности является антенна, формирующая луч посредством фазовых соотношений (то есть направление луча управляется сложными относительными комплексными амплитудами возбуждения излучающих элементов), при этом направление луча может изменяться посредством приложения электрического сигнала (как при приеме, так и при передаче) по азимуту или высоте либо по обеим координатам одновременно
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
5.1.1.5.
Оборудование радиопеленгации, работающее на частотах выше 30 МГц и имеющее все следующие характеристики, и специально разработанные для него компоненты:
а) мгновенную ширину полосы частот, равную 10 МГц или выше; и
б) способное находить азимутальное направление (АН) к невзаимодействующим радиопередатчикам с длительностью сигнала менее 1 мс
8517 61 000 2; 8517 61 000 8;
8526 91 200 0
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.1.1.6. Оборудование для прослушивания (перехвата) или глушения (подавления) мобильной дистанционной связи и оборудование для его мониторинга, определенное ниже, а также специально разработанные для такого оборудования компоненты:
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.1.1.6.1. Оборудование для прослушивания (перехвата), разработанное для выделения сигналов голосовых или информационных данных, передающихся через радиоинтерфейс;
8517 62 000 9;
8517 69 390 0;
8517 69 900 0;
8518 10;
8525 60 000 9;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0;
9013 20 000 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
5.1.1.6.2. Оборудование для прослушивания (перехвата), не определенное в пункте 5.1.1.6.1, разработанное для выделения сигналов устройств пользователей или идентификаторов абонентов (например, международный идентификационный номер подвижного абонента (IMSI), временный международный идентификационный номер подвижного абонента (TIMSI) или международная идентификация мобильного оборудования (IMEI-номер), сигнальных или других метаданных, передающихся через радиоинтерфейс
8517 62 000 9;
8517 69 390 0;
8517 69 900 0;
8518 10;
8525 60 000 9;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0;
9013 20 000 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
Примечание.
Пункты 5.1.1.6.1 и 5.1.1.6.2 не применяются к любому из следующего оборудования:
а) специально разработанному для прослушивания (перехвата) аналоговой частной подвижной радиосвязи (PMR) (стандарт Института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике для беспроводных локальных сетей IEЕЕ 802.11 WLAN);
б) разработанному для операторов сетей мобильной дистанционной связи; или
в) предназначенному для разработки либо производства оборудования или систем мобильной дистанционной связи;
г) специальным техническим средствам, проводным и беспроводным (системам, радиоэлектронным и электронным устройствам), предназначенным для негласного прослушивания (перехвата) телефонных переговоров, перехвата и регистрации информации с технических каналов связи;
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.1.1.6.3. Оборудование глушения (подавления) сигналов, специально разработанное или модифицированное для умышленного и избирательного вмешательства в работу мобильной дистанционной связи, препятствования ее осуществлению, замедления, ухудшения или сбоя связи и выполняющее любую из следующих функций:
а) имитирующее функции оборудования сети радиосвязи с абонентами;
б) обнаруживающее и использующее специфические характеристики применяемого протокола мобильной сети (например, GSM); или
в) использующее специфические характеристики применяемого протокола мобильной сети (например, GSM);
8525 60 000 9;
8526 10 000 9
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.1.1.6.4. Радиочастотное оборудование для мониторинга, разработанное или модифицированное для идентификации работы продукции, определенной в пункте 5.1.1.6.1, 5.1.1.6.2 или 5.1.1.6.3
8517 62 000 9;
8517 69 390 0;
8517 69 900 0;
8526 10 000 9;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
Особое примечание.
Для радиоприемных устройств см. пункт 5.1.1.2.5
(Дополнение особым примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.1.1.7.
Системы или оборудование пассивной когерентной локации, специально разработанные для обнаружения движущихся объектов и слежения за ними путем измерения отраженных от объектов радиочастотных излучений, создаваемых нелокационными передатчиками
8526 10 000 9
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
Техническое примечание.
К нелокационным передатчикам могут относиться коммерческие радио- и телевизионные станции или базовые станции сотовой связи
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Примечание.
Пункт 5.1.1.7 не применяется к любому из следующего:
а) радиоастрономическому оборудованию; или
б) системам или оборудованию, которым требуется какой-либо радиосигнал от движущегося объекта
5.1.1.8. Оборудование, противодействующее самодельным взрывным устройствам, и сопутствующее оборудование:
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.1.1.8.1. Радиочастотное (RF) передающее оборудование, не определенное в пункте 5.1.1.6, разработанное или модифицированное для преждевременного приведения в действие самодельных взрывных устройств или предотвращения их инициирования;
8517 62 000 9;
8517 69 900 0;
8526 10 000 9
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.1.1.8.2. Оборудование, использующее методы, разработанные для поддержания линии радиосвязи на тех же частотных каналах, на которых осуществляется передача находящимся вблизи оборудованием, определенным в пункте 5.1.1.8.1
8517 62 000 9;
8517 69 900 0;
8526 10 000 9
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Особое примечание.
В отношении оборудования, указанного в пункте 5.1.1.8, см. также пункт 5.1.1.2 разделов 2 и 3
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.1.1.9.
Системы или оборудование контроля сетевой связи, работающие с протоколом IP, и специально разработанные для них компоненты, имеющие все следующее:
а) выполняющие все следующее в IP-сети (например, национальный уровень передающей по протоколу IР-среды):
анализ на прикладном уровне (например, седьмой уровень модели взаимодействия открытых систем (ВОС, ISO/IEC 7498-1);
извлечение выбранных метаданных и прикладных программ (голос, видео, сообщения, приложения); и
индексацию извлеченных данных; и
б) являющиеся специально разработанными для выполнения всего следующего:
поиска на основе четко заданных критериев; и
отображения реляционной сети отдельных лиц или группы лиц
8471;
8517 62 000;
8517 69 900 0;
8526 10 000 9;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0;
9030 40 000 0
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
Примечание.
Пункт 5.1.1.9 не применяется к системам или оборудованию, специально разработанным для любого из следующего:
а) рекламных целей;
б) оценки качества и класса предоставляемых услуг передачи данных по сети; или
в) оценки квалификации
(Дополнение примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519) (Техническое примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
5.2.1.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование (телекоммуникационное испытательное, контрольное и производственное оборудование (аппаратура), компоненты и принадлежности, определенные ниже)
5.2.1.1.
Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально разработанные для разработки или производства оборудования, функций или возможностей, определенных в пункте 5.1.1
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Примечание.
Пункт 5.2.1.1 не применяется к оборудованию определения параметров оптического волокна
Особое примечание.
В отношении оборудования и компонентов или принадлежностей для него, указанных в пункте 5.2.1.1, см. также пункт 5.2.1.1 раздела 2
5.2.1.2.
Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально разработанные для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего или коммутационного оборудования:
5.2.1.2.1.
Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:
а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; или (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
б) (Подпункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
в) (Подпункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Техническое примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
г) использующего аналоговую технику при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц; или (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Примечание.
Подпункт "г" пункта 5.2.1.2.1 не применяется к оборудованию, специально разработанному для разработки систем коммерческого телевидения;
5.2.1.2.2.
Радиоаппаратуры, использующей технику квадратурной амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 1024
(В редакции указов Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519, от 07.04.2017 № 159)
5.2.1.2.3.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.3.1.
Материалы - нет
5.4.1.
Программное обеспечение
5.4.1.1.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, функций или возможностей, определенных в пункте 5.1.1
Особое примечание.
В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.1, см. также пункт 5.4.1.1 разделов 2 и 3
5.4.1.2.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
(Особое примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
5.4.1.3.
Специальное программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обеспечения характеристик, функций или возможностей оборудования, определенного в пункте 5.1.1 или 5.2.1
5.4.1.4.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего или коммутационного оборудования:
5.4.1.4.1.
Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:
а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; или
б) использующего аналоговую технику при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц; или
Примечание.
Подпункт "б" пункта 5.4.1.4.1 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для разработки систем коммерческого телевидения
5.4.1.4.2.
Радиоаппаратуры, использующей технику квадратурной амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 1024
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
5.4.1.5.
Программное обеспечение, иное чем указанное в пункте 5.4.1.1 или 5.4.1.3, которое специально разработано или модифицировано для мониторинга или анализа правоохранительными органами, обеспечивающее все следующее:
а) поиск на основе жестких идентификаторов либо содержания сообщений связи, либо метаданных, полученных от поставщика коммуникационных услуг с использованием интерфейса передачи абонентского соединения; и
Технические примечания: 1. Для целей пункта 5.4.1.5 интерфейс передачи абонентского соединения - физический и логический интерфейсы, которые предназначены для использования уполномоченными правоохранительными органами и способны осуществить меры целенаправленного перехвата в случае требования к поставщику коммуникационных услуг в целях дальнейшей передачи результатов перехвата от поставщика коммуникационных услуг правоохранительному органу, запросившему проведение такой процедуры. Интерфейс передачи абонентского соединения применяется в рамках систем или оборудования (например, промежуточных устройств), которые получают и подтверждают запрос о перехвате и предоставляют соответствующему правоохранительному органу исключительно результаты перехвата, удовлетворяющие подтвержденный запрос.
2. Интерфейсы передачи абонентского соединения могут указываться в рамках международных стандартов (включая, но не ограничиваясь стандартами ETSI TS 101 331, ETSI TS 101 671, 3GPP TS 33.108) или их национальных эквивалентов
б) отображение реляционной сети в виде карты или отслеживание перемещений конкретных людей на основе результатов поиска содержания сообщений связи либо метаданных или поиска, указанного в подпункте "а" пункта 5.4.1.5
Примечание.
Пункт 5.4.1.5 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для любого из следующего:
а) биллинга;
б) оценки качества сетевого обслуживания;
в) функций сбора данных в сетевых элементах;
г) контроля качества эксплуатации; или
д) мобильных платежей или использования услуг мобильных банков
(Дополнение пунктом - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
5.5.1.
Технология
5.5.1.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения (исключая эксплуатацию) оборудования или его функциональных возможностей, определенных в пункте 5.1.1, или программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.1.1 или 5.4.1.5
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
Особое примечание.
В отношении технологий, указанных в пункте 5.5.1.1, см. также пункт 5.5.1.1 разделов 2 и 3
5.5.1.2.
Специальные технологии следующих видов:
5.5.1.2.1.
Технология разработки или производства телекоммуникационного оборудования, специально разработанного для использования на борту спутников;
5.5.1.2.2.
Технология разработки или применения техники лазерной связи со способностью автоматического захвата и удержания сигнала и поддержания связи через внеатмосферную или подземную (подводную) передающую среду;
5.5.1.2.3.
Технология разработки приемной аппаратуры цифровых базовых сотовых радиостанций, приемные параметры которых, допускающие многодиапазонный, многоканальный, многомодовый, многокодируемый алгоритм или многопротокольную работу, могут быть модифицированы изменениями в программном обеспечении;
5.5.1.2.4.
Технология разработки аппаратуры, использующей методы расширения спектра, включая методы скачкообразной перестройки частоты
Примечание.
Пункт 5.5.1.2.4 не применяется к технологиям разработки любого из следующего:
а) гражданских сотовых радиокоммуникационных систем; или
б) стационарных или мобильных наземных спутниковых станций для гражданских коммерческих сетей связи
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.5.1.3.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства любого из следующего телекоммуникационного оборудования (аппаратуры), в том числе коммутационного:
5.5.1.3.1.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Техническое примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
5.5.1.3.2.
Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:
а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;
б) (Подпункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
в) (Подпункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Техническое примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
г) использующего при распределении длин волн технику мультиплексирования оптических несущих частот с интервалом менее 100 ГГц; или
д) использующего аналоговую технику при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц
Примечание.
Подпункт "д" пункта 5.5.1.3.2 не применяется к технологиям разработки или производства систем коммерческого телевидения
Особое примечание.
Для технологии разработки или производства нетелекоммуникационного оборудования, использующего лазер, см. пункт 6.5;
5.5.1.3.3.
Оборудования, использующего оптическую коммутацию и имеющего время переключения менее 1 мс;
5.5.1.3.4.
Радиоаппаратуры, имеющей любое из следующего:
а) использующей технику квадратурной амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше1024; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
б) работающей на входных или выходных частотах, превышающих 31,8 ГГц; или
Примечание.
Подпункт "б" пункта 5.5.1.3.4 не применяется к технологиям разработки или производства оборудования, разработанного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения
в) работающей в диапазоне частот 1,5 МГц - 87,5 МГц и включающей адаптивные средства управления, обеспечивающие более 15 дБ подавления помехи; или (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.5.1.3.5.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.5.1.3.6.
Мобильного оборудования, имеющего все следующее:
а) работающего на длине световой волны в диапазоне от 200 нм до 400 нм включительно; и
б) работающего как локальная сеть
5.5.1.4. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства монолитных микроволновых интегральных схем (ММИС) - усилителей мощности, специально разработанных для телекоммуникации и имеющих любое из следующего:
а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;
в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;
д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; или
з) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Техническое примечание.
Для целей пункта 5.5.1.4 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения могут также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
5.5.1.5.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства электронных приборов и схем, специально разработанных для телекоммуникации и содержащих компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанных для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих и имеющих любое из следующего:
а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10-14 Дж; или
б) частотную селекцию на всех частотах с использованием резонансных контуров со значением добротности, превышающим 10 000
Часть 2. Защита информации
Примечания: 1. (Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
2. Часть 2 категории 5 не применяется к товарам, когда они вывозятся пользователем для личного использования.
3. Криптографическое примечание.
Пункт 5.1.2, подпункт "а" пункта 5.4.2.1, пункт 5.4.2.2 и подпункт "а" пункта 5.4.2.3 не применяются к следующей продукции: (В редакции указов Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159, от 13.12.2018 № 714)
а) продукции, соответствующей всему следующему:
1) общедоступной для продажи населению без ограничений из имеющегося в наличии ассортимента в местах розничной продажи посредством любого из следующего:
продажи за наличные;
продажи путем заказа товаров по почте;
электронных сделок; или
продажи по телефонным заказам;
2) криптографические функциональные возможности которой не могут быть легко изменены пользователем;
3) разработанной для установки пользователем без дальнейшей существенной поддержки поставщиком; и
4) доступные части которой в случае необходимости будут представлены экспортерами национальному уполномоченному органу страны-экспортера по требованию последнего, чтобы убедиться в их соответствии условиям, изложенным в пунктах 1 - 3 подпункта "а" настоящего криптографического примечания;
б) компонентам аппаратных средств или исполняемому программному обеспечению в составе продукции, описанной в подпункте "а" настоящего криптографического примечания, которые были разработаны для этой продукции и соответствуют всем следующим требованиям:
1) защита информации не является основной функцией или набором основных функций компонента или исполняемого программного обеспечения;
2) компонент или исполняемое программное обеспечение не меняет каких-либо криптографических возможностей указанной продукции или не добавляет ей новых криптографических возможностей;
3) набор функциональных возможностей компонента или исполняемого программного обеспечения является неизменным и не может быть перепроектирован или модифицирован по требованию покупателя; и
4) (Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Пункт в редакции Указа Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519) (Техническое примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
Примечание.
Исполняемое программное обеспечение не включает завершенные бинарные изображения программного обеспечения, запущенного на готовом изделии
(Дополнение примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Примечания к криптографическому примечанию:
1. Чтобы соответствовать требованиям подпункта "а" криптографического примечания, должно быть соблюдено все нижеследующее:
а) продукция должна быть товаром массового производства и доступна широкому кругу физических и юридических лиц; и
б) информация об основных функциях продукции должна быть общедоступной и цена ее должна быть известна до закупки, без необходимости консультации с продавцом или поставщиком. Простое осведомление о цене не считается консультацией. (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
2. Для определения приемлемости применения подпункта "а" криптографического примечания национальные уполномоченные органы страны-экспортера могут принимать во внимание такие существенные факторы, как количество, цена, необходимые технические навыки потребителя, каналы продаж, наиболее вероятные покупатели, возможные области применения или какие-либо юридические ограничения, вытекающие из практики поставок
(Дополнение примечанием к криптографическому примечанию - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
Криптографическая защита информации
(Дополнение словами - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
5.1.2. Системы защиты информации, оборудование и компоненты, определенные ниже:
(В редакции Указа Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Особое примечание.
В отношении приемного оборудования навигационных спутниковых систем, содержащего или использующего функции дешифрования, см. пункт 7.1.5, а в отношении дешифрующего программного обеспечения и технологий см. пункты 7.4.5 и 7.5.1
(Дополнение особым примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714) (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
5.1.2.1. Разработанные или модифицированные для использования криптографии в целях обеспечения конфиденциальности данных, имеющие описанный алгоритм защиты, где используемые криптографические возможности были активированы или могут быть активированы любыми средствами, отличными от безопасной криптографической активации, такие как: (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
а) оборудование, для которого защита информации является основной функцией;
б) системы, оборудование или компоненты, предназначенные для цифровой передачи данных, не определенные в подпункте "а" настоящего пункта;
в) ЭВМ и другое оборудование, основной функцией которых является хранение и обработка информации, и компоненты для них, не определенные в подпункте "а" или "б" настоящего пункта
8471;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0
Особое примечание.
Для операционных систем см. также подпункт "а" пункта 5.4.2.1 и подпункт "а" пункта 5.4.2.3;
г) оборудование, не определенное в подпунктах "а" - "в" настоящего пункта, в котором функция криптографии для обеспечения конфиденциальности данных, использующая описанный алгоритм защиты, соответствует всему следующему: (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
обеспечивает вспомогательные функции оборудования; и
выполняется встроенным оборудованием или программным обеспечением, которое в качестве отдельного элемента определено в части 2 категории 5
Технические примечания:
1. Для целей пункта 5.1.2.1 криптографию, предназначенную для обеспечения конфиденциальности данных, следует рассматривать как криптографию, которая использует цифровые методы и выполняет криптографическую функцию, отличную от любой из указанных ниже:
а) аутентификации;
б) электронно-цифровой подписи;
в) контроля целостности данных;
г) безотказности;
д) управления цифровыми правами, включая выполнение программного обеспечения, защищенного от копирования;
е) шифрования или дешифрования в целях поддержки управления в сфере развлечений, массовых коммерческих трансляций или ведения медицинской документации; или
ж) управления ключами (распределения ключевой информации) для поддержки любой из функций, описанных в подпунктах "а" - "е" настоящего технического примечания.
2. Для целей пункта 5.1.2.1 описанный алгоритм защиты означает любое из следующего:
а) симметричный алгоритм, использующий ключ длиной свыше 56 бит, не считая битов четности;
б) асимметричный алгоритм, защита которого основывается на любом из следующих методов:
факторизации (разложении на сомножители) целых чисел, размер которых превышает 512 бит (например, алгоритм RSA);
вычислении дискретных логарифмов в мультипликативной группе конечного поля размером более 512 бит (например, алгоритм Диффи-Хеллмана на группе Z/pZ); или
вычислении дискретных логарифмов в группе, отличном от указанного в абзаце третьем настоящего подпункта и превышающем 112 бит (например, алгоритм Диффи-Хеллмана на эллиптической кривой); или
в) асимметричный алгоритм, защита которого основывается на любом из следующих методов
выявлении аномалий с самым коротким или самым близким одномерным массивом данных, состоящим из однотипных элементов, связанных с алгебраическими решетками CRYSTALS (например, алгоритмы NewHope, Frodo, NTRUEncrypt, Kyber, Titanium);
поиске изогений между суперсингулярными эллиптическими кривыми (например, суперсингулярная изогения обмена ключами); или
дешифровании случайных кодов (например, алгоритмы McEliece, Niederreiter)
Техническое примечание.
Алгоритм, описанный в подпункте "в" пункта 2 настоящих технических примечаний, может быть постквантовым, квантово-безопасным или квантово-устойчивым
(Пункт в редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
Примечания:
1. В случае необходимости отдельные элементы изделий должны быть доступными и переданы экспортерами контролирующим органам Российской Федерации по их требованию для подтверждения любых из следующих условий:
а) соответствие изделия критериям подпунктов "а" - "г" пункта 5.1.2.1; или
б) доступность определенных в пункте 5.1.2.1 криптографических возможностей для обеспечения конфиденциальности данных без криптографической активации.
2. Пункт 5.1.2.1 не применяется к любому из следующих изделий или к любым специально разработанным для них компонентам для защиты информации:
а) смарт-картам и устройствам чтения и (или) записи смарт-карт, включая:
1) смарт-карты или электронно-считываемые персональные документы (например, жетоны, электронные паспорта), удовлетворяющие любому из следующих условий:
криптографические возможности которых соответствуют всему следующему:
ограничены для использования в любом из следующего:
оборудовании или системах, не указанных в подпунктах "а" - "г" пункта 5.1.2.1;
оборудовании или системах, не использующих криптографию, предназначенную для обеспечения конфиденциальности данных, на основе указанного алгоритма защиты; или (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
оборудовании или системах, исключенных из-под контроля по пункту 5.1.2.1 подпунктами "б" - "е" настоящего примечания; и
не могут быть перепрограммированы для других целей; или
имеющие все следующие характеристики: конструктивно и функционально ограничены применением в целях защиты хранящихся на них персональных данных;
были или могут быть персонализированы для использования при совершении публичных или коммерческих сделок либо для идентификации личности; и
криптографические возможности которых недоступны пользователю
Техническое примечание.
Персональные данные включают любую информацию, которая касается частного лица или организации, такую как сумма хранящихся денежных средств на счете и данные, необходимые для аутентификации;
2) специально разработанные или модифицированные считывающие или записывающие устройства, которые применяются только для изделий, определенных в пункте 1 настоящего подпункта
Техническое примечание.
Считывающие или записывающие устройства включают оборудование, поддерживающее связь со смарт-картами или электронно-считываемыми документами через сеть;
б) криптографическому оборудованию, специально разработанному и применяющемуся только для банковских или финансовых операций
Техническое примечание.
Финансовые операции, указанные в подпункте "б" пункта 2 примечаний к пункту 5.1.2.1, включают в себя сборы и плату за транспортные услуги или кредитование;
в) портативным или мобильным радиотелефонам гражданского назначения (например, используемым в системах сотовой радиосвязи гражданского назначения), не обладающим техническими возможностями передачи зашифрованных данных непосредственно на другой радиотелефон или оборудование, отличное от оборудования беспроводной сети с радиодоступом (RAN), а также возможностями пересылки зашифрованных данных через оборудование RAN (например, через сетевой контроллер сотовой связи (RNC) или контроллер базовых станций (BSC);
г) беспроводному телефонному оборудованию, не обладающему технической возможностью сквозного шифрования, с максимальной эффективной дальностью беспроводной связи (односкачковой, без ретрансляции между терминалом и базовой станцией) без усиления менее 400 м согласно спецификациям производителя;
д) портативным или мобильным радиотелефонам и аналогичным пользовательским беспроводным устройствам гражданского назначения, использующим только общедоступные или коммерческие криптографические стандарты (за исключением антипиратских функций, которые могут быть недоступными), соответствующим условиям, указанным в пунктах 2 - 4 подпункта "а" криптографического примечания (примечание 3 к части 2 категории 5), и адаптированным для конкретного применения в гражданской сфере, со свойствами, не влияющими на криптографические возможности исходных неадаптированных устройств;
е) изделиям, в которых функция защиты информации ограничена функциями беспроводной персональной сети и которые используют только общедоступные или коммерческие криптографические стандарты; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
ж) оборудованию мобильных сетей связи с радиодоступом (RAN), разработанному для гражданского применения, соответствующему условиям, указанным в пунктах 2 - 4 подпункта "а" криптографического примечания (примечание 3 к части 2 категории 5), имеющему выходную радиочастотную мощность, ограниченную 0,1 Вт (20 дБм) или менее, и поддерживающему 16 параллельных пользователей или менее; з) маршрутизаторам, коммутаторам, шлюзам или реле, обладающим средствами криптографической защиты, функционально ограниченным задачами эксплуатации, администрирования или технического обслуживания (ОAM) и использующим только общедоступные или коммерческие криптографические стандарты; (В редакции Указа Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
и) компьютерной технике общего назначения или серверам, средства криптографической защиты которых отвечают всем следующим условиям:
1) используют только открытые или коммерческие криптографические стандарты; и
2) соответствуют любому из следующего:
являются неотъемлемой частью центрального процессора (CPU), соответствующего условиям, указанным в криптографическом примечании (примечание 3 к части 2 категории 5);
являются неотъемлемой частью операционной системы, не указанной в пункте 5.4.2; или
ограничены выполнением функций технического обслуживания (ОАМ); или
к) оборудованию, специально разработанному для применения в гражданской промышленности и соответствующему всему следующему:
1) является любым из нижеперечисленного:
оконечными устройствами с сетевыми возможностями, соответствующими любой из следующих характеристик:
функция защиты информации ограничена защитой непроизвольно выбранных данных или задачами эксплуатации, администрирования или технического обслуживания (ОАМ); или
ограничена конкретным применением в гражданской промышленности; или
сетевым оборудованием, соответствующим всему нижеперечисленному:
является специально разработанным для использования с устройствами, указанными в абзаце втором настоящего подпункта 1; и
функция защиты информации ограничена поддержкой применения в гражданской промышленности устройств, указанных в абзаце втором настоящего подпункта 1, или задачами ОАМ данного сетевого оборудования или других устройств, указанных в настоящем подпункте "к"; и
2) функция защиты информации предполагает использование только общедоступных или коммерческих криптографических стандартов, а средства криптографической защиты не могут быть легко изменены пользователем
(Дополнение подпунктом - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
Технические примечания: 1. Применение в гражданской промышленности - подключенный к сети потребитель или любой способ применения в гражданской промышленности или потребителями, отличный от защиты информации, цифровой связи, сетей общего назначения или от обработки данных.
2. Непроизвольно выбранные данные - данные датчиков или измерений, которые напрямую связаны со стабильностью, производительностью или измерением физических характеристик системы (например, температура, давление, скорость потока, масса, объем, напряжение, физическое местоположение и др.) и не могут быть изменены пользователем устройства;
(Дополнение техническими примечаниями - Указ Президента Российской Федерации от 19.02.2021 № 109)
(Пункт в редакции Указа Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Особые примечания исключены - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
5.1.2.1.1.
(Пункт исключен - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Технические примечания исключены - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 21.07.2014 № 519)
(Примечание исключено - Указ Президента Российской Федерации от 13.12.2018 № 714)
(Дополнение примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
Техническое примечание.
Персональные данные включают в себя любую информацию, которая касается частного лица или организации и может составлять личную или служебную тайну, такую как сумма хранящихся денежных средств на счете и другие данные, необходимые для аутентификации;
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
2) специально разработанные или модифицированные считывающие или записывающие устройства, которые применяются только для товаров, определенных в пункте 1 подпункта "а" настоящего примечания
Техническое примечание.
Считывающие или записывающие устройства включают в себя оборудование, поддерживающее связь со смарт-картами или электронно-считываемыми документами через сеть;
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
б) криптографическому оборудованию, специально разработанному и применяющемуся только для банковских или финансовых операций
Техническое примечание.
Финансовые операции, указанные в пункте "б" примечания к пункту 5.1.2, включают в себя сборы и оплату за транспортные услуги или кредитование;
(Дополнение техническим примечанием - Указ Президента Российской Федерации от 07.04.2017 № 159)
в) портативным или мобильным радиотелефонам гражданского назначения (например, используемым в системах сотовой радиосвязи гражданского назначения), не обладающим техническими возможностями передачи зашифрованных данных непосредственно на другой радиотелефон или оборудование, отличное от оборудования беспроводной сети с радиодоступом (RAN), а также возможностями пересылки зашифрованных данных через оборудование RAN (например, через контроллер сети доступа сети сотовой связи (RNC) или контроллер базовых станций (BSC);
г) беспроводному телефонному оборудованию, не обладающему технической возможностью межабонентского шифрования, с максимальной дальностью беспроводной связи (односкачковой, без ретрансляции между терминалом и базовой станцией) без усиления менее 400 м согласно техническим условиям производителя;
д) портативным или мобильным радиотелефонам и аналогичным пользовательским беспроводным устройствам гражданского назначения (за исключением устройств, обладающих антипиратскими функциями, которые не являются общедоступными), соответствующим условиям, указанным в пунктах 2 - 4 подпункта "а" криптографического примечания (пункт 3 примечаний) к части 2 категории 5, использующим только общедоступные или коммерческие криптографические стандарты и адаптированным для конкретного применения в гражданских отраслях промышленности, со свойствами, не влияющими на криптографические возможности исходных неадаптированных устройств;
е) оборудованию беспроводной персональной сети, которое использует только опубликованные или коммерческие криптографические стандарты и криптографические возможности которого ограничены номинальной зоной действия 30 м в соответствии со спецификациями производителя или зоной, не превышающей 100 м, - для оборудования, не способного поддерживать связь с более чем семью устройствами; или
ж) оборудованию, удовлетворяющему всем следующим условиям:
1) обладающему всеми криптографическими функциями, указанными в пункте 5.1.2.1, если оно соответствует любому из следующего:
его криптографические функции недоступны пользователям; или
его криптографические функции доступны пользователям только при криптографической активации; и
2) в случае необходимости, как это определено уполномоченным органом страны-экспортера, детальная информация, касающаяся указанного оборудования, должна быть предоставлена по запросу уполномоченного органа для подтверждения соответствия оборудования изложенным выше условиям
Особые примечания:
1. В отношении оборудования, прошедшего криптографическую активацию, см. пункт 5.1.2.1.